Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов

Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Красников Г. Я. Геннадий Яковлевич
Shrnutí:В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
Jazyk:ruština
Vydáno: Москва, Техносфера, 2011
Vydání:2-е изд., испр.
Edice:Мир электроники
Témata:
Médium: Kniha
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=202390

MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 202390
005 20231101225105.0
010 |a 9785948362892 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\220547 
090 |a 202390 
100 |a 20111011d2011 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов  |f Г. Я. Красников 
205 |a 2-е изд., испр. 
210 |a Москва  |c Техносфера  |d 2011 
215 |a 800 с.  |c ил. 
225 1 |a Мир электроники 
330 |a В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов. 
606 1 |a Полевые транзисторы  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50057  |9 68814 
610 1 |a субмикронные МОП-транзисторы 
610 1 |a масштабирование 
610 1 |a принципы 
610 1 |a ограничения 
610 1 |a подзатворные диэлектрики 
610 1 |a формирование 
610 1 |a сток-истоковые области 
610 1 |a каналы 
610 1 |a структура 
610 1 |a затворы 
610 1 |a надежность 
610 1 |a технологические процессы 
675 |a 621.382.3  |v 3 
700 1 |a Красников  |b Г. Я.  |g Геннадий Яковлевич 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20111011 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20150610  |g RCR 
900 |a Электроника 
942 |c BK 
959 |a 85/20110928  |d 2  |e 0,00  |f ЧЗТЛ:1  |f АНЛ:1