|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
197421 |
| 005 |
20231101224744.0 |
| 010 |
|
|
|a 9785996303021
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\215350
|
| 090 |
|
|
|a 197421
|
| 100 |
|
|
|a 20110610d2011 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
1 |
|
|a rus
|c eng
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд
|e пер. с англ.
|f под ред. К. М. Рабе; Ч. Г. Ана; Ж.-М. Трискона
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c БИНОМ. Лаборатория знаний
|d 2011
|
| 215 |
|
|
|a 440 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиография в конце глав.
|
| 330 |
|
|
|a Книга содержит семь аналитических обзоров ведущих ученых Европы и США. Материал дает представление о важных изменениях, произошедших в физике сегнетоэлектриков за последние 20 лет. Рассматриваются концептуальные достижения теории сегнетоэлектричества, новые технологии получения тонких эпитаксиальных пленок оксидных сегнетоэлектриков и сверхрешеток и методы их исследования. Описываются результаты теоретических и экспериментальных исследований размерных эффектов в тонких и сверхтонких сегнетоэлектрических пленках, сегнетоэлектрических наночастицах и нанотрубках. Приводятся результаты изучения доменных стенок в тонких сегнетоэлектрических пленках, а также данные по исследованию мультиферроиков. Полученные сведения позволяют использовать сегнетоэлектрики в электронике и других областях техники, в том числе для создания сегнетоэлектрических энергонезависимых запоминающих устройств (FRAM) и диэлектрических слоев в интегральных схемах. Для студентов, аспирантов, преподавателей вузов, практических специалистов и научных работников.
|
| 606 |
1 |
|
|a Сегнетоэлектрики
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\54329
|9 72486
|
| 610 |
1 |
|
|a физика
|
| 610 |
1 |
|
|a поляризация
|
| 610 |
1 |
|
|a теория Ландау
|
| 610 |
1 |
|
|a сегнетоэлектрические оксиды
|
| 610 |
1 |
|
|a ферромагнетики
|
| 610 |
1 |
|
|a эпитаксиальные пленки
|
| 610 |
1 |
|
|a размерные эффекты
|
| 610 |
1 |
|
|a доменные стенки
|
| 610 |
1 |
|
|a свободная энергия Ландау
|
| 610 |
1 |
|
|a коэффициенты разложения
|
| 610 |
1 |
|
|a свет
|
| 675 |
|
|
|a 537.226.4
|v 3
|
| 702 |
|
1 |
|a Рабе
|b К. М.
|4 340
|
| 702 |
|
1 |
|a Ан
|b Ч. Г.
|4 340
|
| 702 |
|
1 |
|a Трискон
|b Ж.-М.
|4 340
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20110610
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20150515
|g RCR
|
| 900 |
|
|
|a Физические основы электроники
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
| 959 |
|
|
|a 60/20110607
|d 1
|e 0,00
|f ЧЗТЛ:1
|
