Применение теории многократного рассеяния к процессам взаимодействия электронов с водородной подсистемой металлов
| Parent link: | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 318, № 2 : Математика и механика. Физика.— 2011.— [С. 93-96] |
|---|---|
| Diğer Yazarlar: | , , , , |
| Özet: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Рассмотрено возбуждение водородной подсистемы металлов при их облучении электронами. Показано, что поглощение энергии внешнего воздействия зависит не только от микрофизических параметров элементов системы, но и от ее размеров и структуры, что может быть определяющим при оценке процессов, сопровождающих облучение. Обсуждается механизм увеличения энергии дейтронов. Увеличение энергии обеспечивается многократным рассеянием и переизлучением возмущения в виде плазмонов и осцилляций электронной плотности, распространяющихся по всей среде при радиационном внешнем воздействии. |
| Dil: | Rusça |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
2011
|
| Seri Bilgileri: | Математика и механика. Физика |
| Konular: | |
| Online Erişim: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2011/v318/i2/20.pdf |
| Materyal Türü: | Elektronik Kitap Bölümü |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=194664 |
| Fiziksel Özellikler: | 1 файл (241 Кб) |
|---|---|
| Özet: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Рассмотрено возбуждение водородной подсистемы металлов при их облучении электронами. Показано, что поглощение энергии внешнего воздействия зависит не только от микрофизических параметров элементов системы, но и от ее размеров и структуры, что может быть определяющим при оценке процессов, сопровождающих облучение. Обсуждается механизм увеличения энергии дейтронов. Увеличение энергии обеспечивается многократным рассеянием и переизлучением возмущения в виде плазмонов и осцилляций электронной плотности, распространяющихся по всей среде при радиационном внешнем воздействии. |