Температурная зависимость электропроводности и энергия активации щелочногалоидных кристаллов во время рентгеновского облучения в связи с энергией решетки и поглощением рентгеновских лучей

Температурная зависимость электропроводности и энергия активации щелочногалоидных кристаллов во время рентгеновского облучения в связи с энергией решетки и поглощением рентгеновских лучей

التفاصيل البيبلوغرافية
Parent link:Межвузовская конференция по твердым диэлектрикам и полупроводникам: тезисы докладов, Томск, февраль 1958 г./ Томский политехнический институт (ТПИ) ; Томский государственный университет (ТГУ), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ) ; Томский государственный университет (ТГУ). С. 41-42.— , 1958
المؤلف الرئيسي: Щелоков А. Д.
منشور في: 1958
الموضوعات:
физика
труды учёных ТПУ
التنسيق: فصل الكتاب
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=193942

مواد مشابهة

مواد مشابهة