|
|
|
|
| LEADER |
00000nam2a2200000 4500 |
| 001 |
193532 |
| 005 |
20231101224508.0 |
| 010 |
|
|
|a 9785859413997
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\211075
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\book\211074
|
| 090 |
|
|
|a 193532
|
| 100 |
|
|
|a 20110324d2010 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
0 |
|
|a Т. 2
|
| 210 |
|
|
|d 2010
|
| 215 |
|
|
|a 268 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 245-265.
|
| 330 |
|
|
|a Монография является вторым томом трехтомного издания «Матричные солнечные элементы». Второй том отражает результаты исследований и разработок автора в области твердотельных кремниевых матриц, выполненные в 1972-1987 гг. Рассмотрены методы расчета многопереходных матричных солнечных элементов (МСЭ), их конструктивные особенности, методы изготовления, экспериментальные характеристики и области использования. В процессе выполнения технологических и экспериментальных исследований МСЭ был обнаружен ряд новых физических эффектов и получены предельные параметры МСЭ, недостижимые для планарных солнечных элементов. В процессе исследований технологии импульсной термоградиенктной световой диффузии для создания многопереходных МСЭ обнаружены «исчезающие барьеры» в кремнии и связанное с ними явление нестабильности фотоэффекта в МСЭ. Показана возможность управления спектральной характеристикой с помощью внешнего электрического поля за счет создания индуцированных барьеров в матричных солнечных элементах. Экспериментально подтверждено свойство линейности тока короткого замыкания и мощности МСЭ в диапазоне освещенностей. ограниченных сверху не внутренним сопротивлением, а термическим разрушением поверхности МСЭ в результате воздействия сверхвысоких концентраций светового излучения при предельной электрической мощности 3,6 кВт/см2. Показано, что в условиях сильного освещения температурный коэффициент напряжения уменьшается в два раза до 1,1 мВ/град., а предельная рабочая температура, при которой фото—э.д.с. обращается в нуль, превышает 1000°К. При температуре 77°К получена предельная фото-э.д.с. 1,06 В на микроэлемент при плотности напряжения 10 В/см2 по сравнению с 0,6-0,8 В для планарных СЭ. Проведены исследования МСЭ из германия, арсенида галлия и карбида кремния.
|
| 461 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\book\211651
|t Матричные солнечные элементы
|o в 3 т.
|f Д. С. Стребков
|g Организация Объединенных Наций по вопросам образования, науки и культуры (ЮНЕСКО) ; Российская академия сельскохозяйственных наук (РАСХН) ; Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ВИЭСХ)
|v Т. 2
|e 2-е изд., перераб. и доп.
|d 2010
|
| 606 |
1 |
|
|a Солнечные элементы, матричные
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\70456
|9 84717
|
| 610 |
1 |
|
|a кремниевые солнечные элементы
|
| 610 |
1 |
|
|a концентрированное излучение
|
| 610 |
1 |
|
|a преобразование
|
| 610 |
1 |
|
|a многопереходные элементы
|
| 610 |
1 |
|
|a характеристика
|
| 610 |
1 |
|
|a теоретические исследования
|
| 610 |
1 |
|
|a изготовление
|
| 610 |
1 |
|
|a ионное легирование
|
| 610 |
1 |
|
|a p-n переходы
|
| 610 |
1 |
|
|a экспериментальные исследования
|
| 610 |
1 |
|
|a контакты
|
| 610 |
1 |
|
|a вакуумное напыление
|
| 675 |
|
|
|a 621.383
|v 3
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20110324
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20130628
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
