• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avanzado
  • Искусственная эпитаксия - перс...
  • Citar
  • Describir
  • Enviar este por Correo electrónico
  • Imprimir
  • Exportar Registro
    • Exportar a RefWorks
    • Exportar a EndNoteWeb
    • Exportar a EndNote
  • Enlace Permanente
Искусственная эпитаксия - перспективная технология элементной базы микроэлектроники

Искусственная эпитаксия - перспективная технология элементной базы микроэлектроники

Detalles Bibliográficos
Autor principal: Гиваргизов Е. И. Евгений Инвиевич
Otros Autores: Велихов Е. П. (автор предисловия)
Lenguaje:ruso
Publicado: Москва, Наука, 1988
Colección:Проблемы науки и технического прогресса: ПНТП
Materias:
микроэлектроника
полупроводниковые пленки
получение
эпитаксия
кристаллы
рост
аморфные подложки
кристаллизация
кремний
Formato: Libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=192043
  • Existencias
  • Descripción
  • Ejemplares similares
  • Vista Equipo

Ejemplares similares

  • Жидкофазная эпитаксия кремния
    Publicado: (Москва, Металлургия, 1989)
  • Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: пер. с англ.
    Publicado: (Москва, Мир, 1989)
  • Эпитаксиальные пленки
    por: Палатник Л. С. Лев Самойлович
    Publicado: (Москва, Наука, 1971)
  • Ч. 1; Технологические основы микроэлектроники
    Publicado: (2008)
  • Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок
    Publicado: (Новосибирск, Наука, Сибирское отделение, 1981)