Т. 2: Технологические аспекты; Введение в процессы интегральных микро- и нанотехнологий

Bibliographic Details
Parent link:Введение в процессы интегральных микро- и нанотехнологий: учебное пособие: в 2 т./ под ред. Ю. Н. Коркишко. Т. 2: Технологические аспекты.— , 2010-2011.— 978-5-9963-0341-0
Other Authors: Акуленок М. В. Марина Викторовна, Андреев В. М. Владимир Михайлович, Громов Д. Г. Дмитрий Геннадьевич, Зиновьев Д. В. Дмитрий Валерьевич, Мочалов А. И. Алексей Иванович
Summary:Разделение данной книги на 2 тома обусловлено большим объемом материала, касающегося интегральных микро- и нанотехнологий; при этом каждый из томов представляет вполне самостоятельный интерес. Во втором томе изложены технологические и конструктивные основы и особенности методов формирования и «сухого» травления на поверхности подложки тонких слоев и локальных областей проводящих, диэлектрических и полупроводниковых материалов в условиях уменьшения размеров элементов до нанометрового диапазона для интегральных технологии микро-и наноэлектроники, оптоэлектроники, микросистемной техники. Рассматриваются эпитаксиальные процессы, процессы вакуум-термического и ионно-плазменного осаждения, ионного, ионно-химического и плазмохимического травления, термического окисления, методы легирования термической диффузией и ионной имплантацией, а также процессы фотолитографии. Для студентов и аспирантов высших учебных заведений, специализирующихся в области микро- и наноэлектроники, микроэлектромеханических систем, физики твердого тела, материаловедения. Книга может быть полезна инженерно-техническим работникам соответствующих областей.
Language:Russian
Published: 2011
Subjects:
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=189499

MARC

LEADER 00000nam2a2200000 4500
001 189499
005 20231101224217.0
010 |a 9785996303366 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\206025 
090 |a 189499 
100 |a 20101224d2011 m y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a j 001zy 
200 0 |a Т. 2: Технологические аспекты  |f М. В. Акуленок [и др.] 
210 |d 2011 
215 |a 252 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 243-248. 
330 |a Разделение данной книги на 2 тома обусловлено большим объемом материала, касающегося интегральных микро- и нанотехнологий; при этом каждый из томов представляет вполне самостоятельный интерес. Во втором томе изложены технологические и конструктивные основы и особенности методов формирования и «сухого» травления на поверхности подложки тонких слоев и локальных областей проводящих, диэлектрических и полупроводниковых материалов в условиях уменьшения размеров элементов до нанометрового диапазона для интегральных технологии микро-и наноэлектроники, оптоэлектроники, микросистемной техники. Рассматриваются эпитаксиальные процессы, процессы вакуум-термического и ионно-плазменного осаждения, ионного, ионно-химического и плазмохимического травления, термического окисления, методы легирования термической диффузией и ионной имплантацией, а также процессы фотолитографии. Для студентов и аспирантов высших учебных заведений, специализирующихся в области микро- и наноэлектроники, микроэлектромеханических систем, физики твердого тела, материаловедения. Книга может быть полезна инженерно-техническим работникам соответствующих областей. 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\book\200226  |y 978-5-9963-0341-0  |t Введение в процессы интегральных микро- и нанотехнологий  |o учебное пособие: в 2 т.  |f под ред. Ю. Н. Коркишко  |v Т. 2: Технологические аспекты  |d 2010-2011  |s Нанотехнологии 
606 1 |a Нанотехнология  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\51510  |9 70088 
606 1 |a Микроэлектроника  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\43811  |9 63253 
610 1 |a тонкие пленки 
610 1 |a получение 
610 1 |a вакуум-термическое испарение 
610 1 |a ионно-плазменное нанесение 
610 1 |a магнетронное распыление 
610 1 |a направленное осаждение 
610 1 |a кремний 
610 1 |a эпитаксия 
610 1 |a газофазное химическое осаждение 
610 1 |a оборудование 
610 1 |a автолегирование 
610 1 |a эпитаксиальные структуры 
610 1 |a применение 
610 1 |a диэлектрические пленки 
610 1 |a формирование 
610 1 |a диоксид кремния 
610 1 |a нитрид кремния 
610 1 |a сухое травление 
610 1 |a плазменное травление 
610 1 |a ионное травление 
610 1 |a плазмохимическое травление 
610 1 |a ионно-химическое травление 
610 1 |a легирование 
610 1 |a литографические процессы 
610 1 |a фотолитография 
610 1 |a учебные пособия 
675 |a 620.3(075.8)  |v 3 
675 |a 621.382.049.77(075.8)  |v 3 
701 1 |a Акуленок  |b М. В.  |g Марина Викторовна 
701 1 |a Андреев  |b В. М.  |g Владимир Михайлович 
701 1 |a Громов  |b Д. Г.  |g Дмитрий Геннадьевич 
701 1 |a Зиновьев  |b Д. В.  |g Дмитрий Валерьевич 
701 1 |a Мочалов  |b А. И.  |g Алексей Иванович 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20101224 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20150602  |g RCR 
900 |a Наноструктуры, нанотехнологии в электронике 
942 |c BK 
959 |a 94/20101223  |d 7  |e 253,00  |f АНЛ:1  |f ЧЗТЛ:1  |f УФ:5