|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
188037 |
| 005 |
20231101224117.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\204113
|
| 090 |
|
|
|a 188037
|
| 100 |
|
|
|a 20101130d1977 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Редкоземельные полупроводники
|f Академия наук СССР (АН СССР), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) ; под ред. В. П. Жузе, И. А. Смирнова
|
| 210 |
|
|
|a Ленинград
|c Наука
|d 1977
|
| 215 |
|
|
|a 205 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиография в конце статей
|
| 606 |
1 |
|
|a Редкоземельные элементы
|x Полупроводниковые свойства
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\24305
|9 48685
|
| 610 |
1 |
|
|a физика
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводники
|
| 610 |
1 |
|
|a редкоземельные полупроводники
|
| 610 |
1 |
|
|a редкоземельные соединения
|
| 610 |
1 |
|
|a халькогениды
|
| 610 |
1 |
|
|a свойства
|
| 610 |
1 |
|
|a фазовые переходы
|
| 610 |
1 |
|
|a дефектообразование
|
| 675 |
|
|
|a 537.311.322:546
|v 3
|
| 702 |
|
1 |
|a Жузе
|b В. П.
|g Владимир Пантелеймонович
|4 340
|
| 702 |
|
1 |
|a Смирнов
|b И. А.
|4 340
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Академия наук СССР (АН СССР)
|b Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ)
|c (Ленинград)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\12056
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20101130
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20190114
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|