|
|
|
|
| LEADER |
00000nam2a2200000 4500 |
| 001 |
186679 |
| 005 |
20231101224013.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\202539
|
| 090 |
|
|
|a 186679
|
| 100 |
|
|
|a 20101101d1964 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
0 |
|
|a Т. 4
|f под ред. А. В. Шубникова , Н. Н. Шевталя
|
| 210 |
|
|
|d 1964
|
| 215 |
|
|
|a 248 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр. в конце ст.
|
| 461 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\book\151761
|t Рост кристаллов
|f Академия наук СССР (АН СССР), Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова (ИК)
|v Т. 4
|d 1957-1991
|
| 606 |
1 |
|
|a Кристаллы
|x Рост
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\16370
|9 42452
|
| 610 |
1 |
|
|a кристаллообразование
|
| 610 |
1 |
|
|a рост из пара
|
| 610 |
1 |
|
|a монокристаллические пленки
|
| 610 |
1 |
|
|a жидкие кристаллы
|
| 610 |
1 |
|
|a монокристаллы
|
| 610 |
1 |
|
|a сегнетоэлектрические кристаллы
|
| 610 |
1 |
|
|a выращивание
|
| 610 |
1 |
|
|a рост из расплава
|
| 610 |
1 |
|
|a растворы
|
| 675 |
|
|
|a 548.52
|v 4
|
| 702 |
|
1 |
|a Шубников
|b А. В.
|g Алексей Васильевич
|4 340
|
| 702 |
|
1 |
|a Шевталь
|b Н. Н.
|4 340
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20101101
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20160916
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
