Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники, учебное пособие для вузов

Bibliographic Details
Main Author: Старосельский В. И. Виктор Игоревич
Summary:Рассмотрены базовые полупроводниковые приборы современной микроэлектроники и физические процессы, обеспечивающие их работу. Анализируются статические, частотные и импульсные характеристики приборов, рассматриваются методы схемотехнического моделирования приборов и приводятся их эквивалентные схемы. Рассмотрены предельные параметры современных приборов микроэлектроники. Для каждого прибора делается краткий обзор современных методов их структурной реализации в интегральных схемах.
Language:Russian
Published: Москва, Юрайт, 2011
Series:Основы наук
Subjects:
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=185396

MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 185396
005 20231101223921.0
010 |a 9785991608084 
010 |a 978-5-9692-0962-6 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\201093 
035 |a RU\TPU\book\176818 
090 |a 185396 
100 |a 20090702d2011 m y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a j 001zy 
200 1 |a Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники  |e учебное пособие для вузов  |f В. И. Старосельский 
210 |a Москва  |c Юрайт  |d 2011 
215 |a 463 с.  |c ил. 
225 1 |a Основы наук 
320 |a Библиогр. в конце глав. 
330 |a Рассмотрены базовые полупроводниковые приборы современной микроэлектроники и физические процессы, обеспечивающие их работу. Анализируются статические, частотные и импульсные характеристики приборов, рассматриваются методы схемотехнического моделирования приборов и приводятся их эквивалентные схемы. Рассмотрены предельные параметры современных приборов микроэлектроники. Для каждого прибора делается краткий обзор современных методов их структурной реализации в интегральных схемах. 
606 1 |a Микроэлектроника полупроводниковая  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\43820  |9 63262 
610 1 |a полупроводниковые приборы 
610 1 |a полупроводники 
610 1 |a физика 
610 1 |a зонная теория 
610 1 |a электроны 
610 1 |a дырки 
610 1 |a носители заряда 
610 1 |a p-n переходы 
610 1 |a равновесное состояние 
610 1 |a неравновесные состояния 
610 1 |a полупроводниковые диоды 
610 1 |a частотные свойства 
610 1 |a полупроводниковые диоды 
610 1 |a импульсные свойсва 
610 1 |a транзисторы 
610 1 |a МДП-транзисторы 
610 1 |a металл-диэлектрик-полупроводник 
610 1 |a биполярные транзисторы 
610 1 |a параметры 
610 1 |a частотные свойства 
610 1 |a импульсные свойсва 
610 1 |a полевые транзисторы 
610 1 |a гетеропереходные транзисторы 
610 1 |a учебные пособия 
675 |a 621.382.049.77(075.8)  |v 3 
700 1 |a Старосельский  |b В. И.  |g Виктор Игоревич 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20101008 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20150619  |g RCR 
942 |c BK 
959 |a 69/20101006  |d 7  |e 429,00  |f АНЛ:1  |f ЧЗТЛ:1  |f УФ:5