Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах

Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах

Dettagli Bibliografici
Autore principale:	Костылев С. А. Сергей Александрович
Ente Autore:	Академия наук Украинской ССР (АН УССР) Институт технической механики
Altri autori:	Прохоров Е. Ф. Евгений Федорович, Уколов А. Т. Алексей Тихонович
Lingua:	russo
Pubblicazione:	Киев, Наукова думка, 1990
Soggetti:	галлий микроэлектронные схемы полупроводниковые пленки арсенид галлия полупроводниковые свойства интегральные микросхемы электрофизические свойства токоперенос оптическое излучение ионизирующие излучения
Natura:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=183494

Documenti analoghi

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Pubblicazione: (Ташкент, Фан, 1986)

Арсенид галлия в микроэлектронике: пер. с англ.
Pubblicazione: (Москва, Мир, 1988)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
di: Толбанов О. П.
Pubblicazione: (2003)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; Спец. 01.04.10
di: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2004)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; Спец. 01.04.10
di: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2004)

Современные приборы на основе арсенида галлия: пер. с англ.
di: Шур М. С. Михаил Саулович
Pubblicazione: (Москва, Мир, 1991)

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: пер. с англ.
Pubblicazione: (Москва, Радио и связь, 1988)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Pubblicazione: (Новосибирск, Наука, 1977)

Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2002)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Ардышев М. В.
Pubblicazione: (2002)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
di: Толбанов О. П. Олег Петрович
Pubblicazione: (Томск, 1999)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
di: Толбанов О. П. Олег Петрович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 1999)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
di: Сараева В. Е.
Pubblicazione: (1989)

Арсенид галлия. Получение, свойства и применение
Pubblicazione: (Москва, Наука, 1973)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
di: Потапов А. И. Александр Иванович
Pubblicazione: (Томск, 1999)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
di: Спирина А. А. Анна Александровна
Pubblicazione: (Новосибирск, 2023)

Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
di: Стебенева В. И.
Pubblicazione: (2018)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
di: Потапов А. И. Александр Иванович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 1999)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
di: Long Stephen I
Pubblicazione: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Механические явления в интегральных структурах
di: Захаров Н. П. Николай Павлович
Pubblicazione: (Москва, Радио и связь, 1992)

Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI: материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.
Pubblicazione: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)

Исследование стойкости омического контакта металл-арсенид галлия при гамма-облучении; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2002)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; 01.04.10
di: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Pubblicazione: (Томск, 2002)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук:; Спец. 01.04.10
di: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2002)

Релаксация наведённого тока в приборах на основе арсенида галлия после воздействия гамма-импульса; Физика твердого тела
di: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2002)

Полупроводниковые материалы и тонкте пленки на их поверхности
Pubblicazione: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1982)

Арсенид галлия. Труды Международного симпозиума, организованного Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лабораторией авиационной электроники ВВС США: пер. с англ.
Pubblicazione: (Москва, Советское радио, 1972)

Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
di: Сытенко Т. Н.
Pubblicazione: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Т. 13; Электроника
Pubblicazione: (1981)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
di: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2002)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
di: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Pubblicazione: (Москва, Энергия, 1974)

Получение пористого материала на основе отхода полупроводникового производства; Проблемы геологии и освоения недр; Т. 2
di: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Pubblicazione: (2019)

Т. 16; Электроника
Pubblicazione: (1984)

Физические явления в технологии микроэлектроники: сборник научных трудов
Pubblicazione: (Москва, Изд-во МИЭТ, 1982)

Применение электронной оже-спектроскопии к исследованию полупроводниковых структур на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07
di: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Pubblicazione: (Томск, 1985)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Pubblicazione: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Pubblicazione: (2009)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
di: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Pubblicazione: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Актуальные проблемы материаловедения: [сборник обзоров]; пер. с англ.; Вып. 2
Pubblicazione: (Москва, Мир, 1980)

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 1
di: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Pubblicazione: (2014)