Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах

Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах

Manylion Llyfryddiaeth
Prif Awdur:	Костылев С. А. Сергей Александрович
Awdur Corfforaethol:	Академия наук Украинской ССР (АН УССР) Институт технической механики
Awduron Eraill:	Прохоров Е. Ф. Евгений Федорович, Уколов А. Т. Алексей Тихонович
Iaith:	Rwseg
Cyhoeddwyd:	Киев, Наукова думка, 1990
Pynciau:	галлий микроэлектронные схемы полупроводниковые пленки арсенид галлия полупроводниковые свойства интегральные микросхемы электрофизические свойства токоперенос оптическое излучение ионизирующие излучения
Fformat:	Llyfr
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=183494

Eitemau Tebyg

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Cyhoeddwyd: (Ташкент, Фан, 1986)

Арсенид галлия в микроэлектронике: пер. с англ.
Cyhoeddwyd: (Москва, Мир, 1988)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
gan: Толбанов О. П.
Cyhoeddwyd: (2003)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; Спец. 01.04.10
gan: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
Cyhoeddwyd: (Томск, [Б. и.], 2004)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; Спец. 01.04.10
gan: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
Cyhoeddwyd: (Томск, [Б. и.], 2004)

Современные приборы на основе арсенида галлия: пер. с англ.
gan: Шур М. С. Михаил Саулович
Cyhoeddwyd: (Москва, Мир, 1991)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Cyhoeddwyd: (Новосибирск, Наука, 1977)

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: пер. с англ.
Cyhoeddwyd: (Москва, Радио и связь, 1988)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
gan: Ардышев М. В.
Cyhoeddwyd: (2002)

Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
gan: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Cyhoeddwyd: (2002)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
gan: Толбанов О. П. Олег Петрович
Cyhoeddwyd: (Томск, 1999)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
gan: Толбанов О. П. Олег Петрович
Cyhoeddwyd: (Томск, [Б. и.], 1999)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
gan: Сараева В. Е.
Cyhoeddwyd: (1989)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
gan: Александрова О. А.
Cyhoeddwyd: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
gan: Потапов А. И. Александр Иванович
Cyhoeddwyd: (Томск, 1999)

Арсенид галлия. Получение, свойства и применение
Cyhoeddwyd: (Москва, Наука, 1973)

Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
gan: Стебенева В. И.
Cyhoeddwyd: (2018)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
gan: Потапов А. И. Александр Иванович
Cyhoeddwyd: (Томск, [Б. и.], 1999)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
gan: Спирина А. А. Анна Александровна
Cyhoeddwyd: (Новосибирск, 2023)

Механические явления в интегральных структурах
gan: Захаров Н. П. Николай Павлович
Cyhoeddwyd: (Москва, Радио и связь, 1992)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
gan: Long Stephen I
Cyhoeddwyd: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Исследование стойкости омического контакта металл-арсенид галлия при гамма-облучении; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
gan: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Cyhoeddwyd: (2002)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; 01.04.10
gan: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Cyhoeddwyd: (Томск, 2002)

Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI: материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.
Cyhoeddwyd: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук:; Спец. 01.04.10
gan: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Cyhoeddwyd: (Томск, [Б. и.], 2002)

Релаксация наведённого тока в приборах на основе арсенида галлия после воздействия гамма-импульса; Физика твердого тела
gan: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Cyhoeddwyd: (2002)

Арсенид галлия. Труды Международного симпозиума, организованного Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лабораторией авиационной электроники ВВС США: пер. с англ.
Cyhoeddwyd: (Москва, Советское радио, 1972)

Физические явления в технологии микроэлектроники: сборник научных трудов
Cyhoeddwyd: (Москва, Изд-во МИЭТ, 1982)

Полупроводниковые материалы и тонкте пленки на их поверхности
Cyhoeddwyd: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1982)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
gan: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Cyhoeddwyd: (Москва, Энергия, 1974)

Получение пористого материала на основе отхода полупроводникового производства; Проблемы геологии и освоения недр; Т. 2
gan: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Cyhoeddwyd: (2019)

Т. 13; Электроника
Cyhoeddwyd: (1981)

Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
gan: Сытенко Т. Н.
Cyhoeddwyd: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
gan: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Cyhoeddwyd: (Томск, [Б. и.], 2002)

Т. 16; Электроника
Cyhoeddwyd: (1984)

Применение электронной оже-спектроскопии к исследованию полупроводниковых структур на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07
gan: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Cyhoeddwyd: (Томск, 1985)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Cyhoeddwyd: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Cyhoeddwyd: (2009)

Биполярные микросхемы для интерфейсов систем автоматического управления
gan: Белоус А. И. Анатолий Иванович
Cyhoeddwyd: (Ленинград, Машиностроение, 1990)

Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам
Cyhoeddwyd: (Москва, Энергия, 1976)