Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах

Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах

Détails bibliographiques
Auteur principal:	Костылев С. А. Сергей Александрович
Collectivité auteur:	Академия наук Украинской ССР (АН УССР) Институт технической механики
Autres auteurs:	Прохоров Е. Ф. Евгений Федорович, Уколов А. Т. Алексей Тихонович
Langue:	russe
Publié:	Киев, Наукова думка, 1990
Sujets:	галлий микроэлектронные схемы полупроводниковые пленки арсенид галлия полупроводниковые свойства интегральные микросхемы электрофизические свойства токоперенос оптическое излучение ионизирующие излучения
Format:	Livre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=183494

Documents similaires

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Publié: (Ташкент, Фан, 1986)

Арсенид галлия в микроэлектронике пер. с англ.
Publié: (Москва, Мир, 1988)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия
par: Толбанов О. П.
Publié: (2003)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук Спец. 01.04.10
par: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
Publié: (Томск, [Б. и.], 2004)

Современные приборы на основе арсенида галлия пер. с англ.
par: Шур М. С. Михаил Саулович
Publié: (Москва, Мир, 1991)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук Спец. 01.04.10
par: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
Publié: (Томск, [Б. и.], 2004)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия
par: Ардышев М. В.
Publié: (2002)

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления пер. с англ.
Publié: (Москва, Радио и связь, 1988)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Publié: (Новосибирск, Наука, 1977)

Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами
par: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2002)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
par: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publié: (Томск, 1999)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
par: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publié: (Томск, [Б. и.], 1999)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия
par: Сараева В. Е.
Publié: (1989)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
par: Потапов А. И. Александр Иванович
Publié: (Томск, 1999)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
par: Спирина А. А. Анна Александровна
Publié: (Новосибирск, 2023)

Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия
par: Стебенева В. И.
Publié: (2018)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
par: Потапов А. И. Александр Иванович
Publié: (Томск, [Б. и.], 1999)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
par: Long Stephen I
Publié: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.
Publié: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)

Исследование стойкости омического контакта металл-арсенид галлия при гамма-облучении
par: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2002)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук 01.04.10
par: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Publié: (Томск, 2002)

Полупроводниковые материалы и тонкте пленки на их поверхности
Publié: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1982)

Т. 13
Publié: (1981)

Получение пористого материала на основе отхода полупроводникового производства
par: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publié: (2019)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
par: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Publié: (Москва, Энергия, 1974)

Электрофизические свойства арсенида галлия учебное пособие
par: Сытенко Т. Н.
Publié: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Физические явления в технологии микроэлектроники сборник научных трудов
Publié: (Москва, Изд-во МИЭТ, 1982)

Т. 16
Publié: (1984)

Применение электронной оже-спектроскопии к исследованию полупроводниковых структур на основе арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.07
par: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Publié: (Томск, 1985)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией
Publié: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства
Publié: (2009)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs монография
par: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Publié: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров учебник
par: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Publié: (Москва, Радио и связь, 1987)

Биполярные микросхемы для интерфейсов систем автоматического управления
par: Белоус А. И. Анатолий Иванович
Publié: (Ленинград, Машиностроение, 1990)

Актуальные проблемы материаловедения [сборник обзоров] пер. с англ.
Publié: (Москва, Мир, 1980)

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma
par: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publié: (2014)

Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation
Publié: (2014)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы
par: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства
Publié: (2011)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация
Publié: (2011)