• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Розширений
  • Явления токопереноса в тонкопл...
  • Цитувати
  • Відправити по sms
  • Відправити е-поштою
  • Друк
  • Експортувати запис
    • Екпортувати в RefWorks
    • Екпортувати в EndNoteWeb
    • Екпортувати в EndNote
  • Постійне посилання
Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах

Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах

Бібліографічні деталі
Автор: Костылев С. А. Сергей Александрович
Співавтор: Академия наук Украинской ССР (АН УССР) Институт технической механики
Інші автори: Прохоров Е. Ф. Евгений Федорович, Уколов А. Т. Алексей Тихонович
Опубліковано: Киев, Наукова думка, 1990
Предмети:
галлий
микроэлектронные схемы
полупроводниковые пленки
арсенид галлия
полупроводниковые свойства
интегральные микросхемы
электрофизические свойства
токоперенос
оптическое излучение
ионизирующие излучения
Формат: Книга
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=183494
  • Примірники
  • Опис
  • Схожі ресурси
  • Службовий вигляд
Опис
Фізичний опис:139,[1] с. ил.
ISBN:512001304X

Схожі ресурси

  • Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
    Опубліковано: (Ташкент, Фан, 1986)
  • Арсенид галлия в микроэлектронике пер. с англ.
    Опубліковано: (Москва, Мир, 1988)
  • Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия
    за авторством: Толбанов О. П.
    Опубліковано: (2003)
  • Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук Спец. 01.04.10
    за авторством: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
    Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2004)
  • Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук Спец. 01.04.10
    за авторством: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
    Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2004)