Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика

Detalles Bibliográficos
Parent link:	Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика.— 2010.— [С. 125-129]
Outros autores:	Градобоев А. В. Александр Васильевич, Скаков М. К., Полицинский Е. В. Евгений Валерьевич, Аубакирова Д. М.
Summary:	Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Представлены результаты исследования стойкости серийных светоизлучающих диодов ИК-диапазона на основе эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Si, к воздействию одиночных импульсов лазерного излучения с длиной волны 1,06 мкм и длительностью 100 нс, 10 мкс и 1 мс. Показано, что деградация мощности излучения диодов обусловлена проплавлением контакта металл-полупроводник, при этом их стойкость сильно зависит от направления воздействия лазерного излучения. Установлено несколько пороговых значений плотности мощности лазерного излучения: плотность мощности, ниже которой отсутствует деградация диодов, а выше которой наблюдается деградация диодов; плотность мощности, при которой наблюдается полное проплавление контакта металл-полупроводник и плотность мощности, при которой происходит механическое разрушение диодов по плоскости кристалл-кристаллодержатель. Показано, что диаграмма направленности излучения диодов позволяет определить пороговые значения плотности мощности лазерного излучения, падающего под углом к оптической оси диода. Установлено, что режим питания диода не влияет на установленные пороговые плотности мощности лазерного излучения.
Idioma:	ruso
Publicado:	2010
Series:	Математика и механика. Физика
Subjects:	импульсное лазерное излучение светоизлучающие диоды эпитаксиальные слои GaAs контакт металл-полупроводник труды учёных ТПУ электронный ресурс диоды лазерное излучение результаты исследований
Acceso en liña:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2010/v316/i2/26.pdf
Formato:	Electrónico Capítulo de libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=182798