Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения
| Parent link: | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика.— 2010.— [С. 125-129] |
|---|---|
| Další autoři: | , , , |
| Shrnutí: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Представлены результаты исследования стойкости серийных светоизлучающих диодов ИК-диапазона на основе эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Si, к воздействию одиночных импульсов лазерного излучения с длиной волны 1,06 мкм и длительностью 100 нс, 10 мкс и 1 мс. Показано, что деградация мощности излучения диодов обусловлена проплавлением контакта металл-полупроводник, при этом их стойкость сильно зависит от направления воздействия лазерного излучения. Установлено несколько пороговых значений плотности мощности лазерного излучения: плотность мощности, ниже которой отсутствует деградация диодов, а выше которой наблюдается деградация диодов; плотность мощности, при которой наблюдается полное проплавление контакта металл-полупроводник и плотность мощности, при которой происходит механическое разрушение диодов по плоскости кристалл-кристаллодержатель. Показано, что диаграмма направленности излучения диодов позволяет определить пороговые значения плотности мощности лазерного излучения, падающего под углом к оптической оси диода. Установлено, что режим питания диода не влияет на установленные пороговые плотности мощности лазерного излучения. |
| Jazyk: | ruština |
| Vydáno: |
2010
|
| Edice: | Математика и механика. Физика |
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2010/v316/i2/26.pdf |
| Médium: | Elektronický zdroj Kapitola |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=182798 |
MARC
| LEADER | 00000nla2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 182798 | ||
| 005 | 20231031171411.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\book\198160 | ||
| 035 | |a RU\TPU\book\198148 | ||
| 090 | |a 182798 | ||
| 100 | |a 20100625d2010 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drnn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения |b Электронный ресурс |f А. В. Градобоев [и др.] | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 215 | |a 1 файл (101 Кб) | ||
| 225 | 1 | |a Математика и механика. Физика | |
| 230 | |a Электронные текстовые данные (1 файл : 101 Кб) | ||
| 300 | |a Заглавие с титульного листа | ||
| 300 | |a Электронная версия печатной публикации | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 129 (6 назв.)] | ||
| 330 | |a Представлены результаты исследования стойкости серийных светоизлучающих диодов ИК-диапазона на основе эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Si, к воздействию одиночных импульсов лазерного излучения с длиной волны 1,06 мкм и длительностью 100 нс, 10 мкс и 1 мс. Показано, что деградация мощности излучения диодов обусловлена проплавлением контакта металл-полупроводник, при этом их стойкость сильно зависит от направления воздействия лазерного излучения. Установлено несколько пороговых значений плотности мощности лазерного излучения: плотность мощности, ниже которой отсутствует деградация диодов, а выше которой наблюдается деградация диодов; плотность мощности, при которой наблюдается полное проплавление контакта металл-полупроводник и плотность мощности, при которой происходит механическое разрушение диодов по плоскости кристалл-кристаллодержатель. Показано, что диаграмма направленности излучения диодов позволяет определить пороговые значения плотности мощности лазерного излучения, падающего под углом к оптической оси диода. Установлено, что режим питания диода не влияет на установленные пороговые плотности мощности лазерного излучения. | ||
| 337 | |a Adobe Reader | ||
| 461 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\book\176237 |t Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ] |f Томский политехнический университет (ТПУ) |d 2000- | |
| 463 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\book\196538 |x 1684-8519 |t Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика |v [С. 125-129] |d 2010 |p 154 с. | |
| 610 | 1 | |a импульсное лазерное излучение | |
| 610 | 1 | |a светоизлучающие диоды | |
| 610 | 1 | |a эпитаксиальные слои | |
| 610 | 1 | |a GaAs | |
| 610 | 1 | |a контакт металл-полупроводник | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a диоды | |
| 610 | 1 | |a лазерное излучение | |
| 610 | 1 | |a результаты исследований | |
| 701 | 1 | |a Градобоев |b А. В. |c российский физик |c профессор Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета, доктор технических наук |f 1952- |g Александр Васильевич |2 stltpush |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\24213 | |
| 701 | 1 | |a Скаков |b М. К. | |
| 701 | 1 | |a Полицинский |b Е. В. |c российский физик |c доцент Юргинского технологического университета (филиала) Томского политехнического университета, кандидат педагогических наук |f 1974- |g Евгений Валерьевич |2 stltpush |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\24524 | |
| 701 | 1 | |a Аубакирова |b Д. М. | |
| 801 | 1 | |a RU |b 63413507 |c 20090623 |g PSBO | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20211222 |g PSBO | |
| 856 | 4 | |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2010/v316/i2/26.pdf | |
| 942 | |c CF | ||