Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10

Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10

書目詳細資料
主要作者:	Сидоров Е. Н. Евгений Николаевич
企業作者:	Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт физики полупроводников (ИФП) Омский филиал
其他作者:	Давлеткильдеев Н. А. Надим Анварович (научный руководитель)
總結:	Защита сост. 24.06.2010 г.
語言:	俄语
出版:	Томск, 2010
主題:	Полупроводники легированные полупроводниковые твердые растворы арсенид галлия примеси корреляционные эффекты фотолюминесценция энергетические спектры заряды свободные носители авторефераты диссертаций
格式:	圖書
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=182683

相似書籍

Сильно легированные полупроводники
由: Фистуль В. И. Виктор Ильич
出版: (Москва, Наука, 1967)

Легированные полупроводниковые материалы: сборник статей
出版: (Москва, Наука, 1985)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
由: Ардышев М. В.
出版: (2002)

Арсенид галлия. Труды Международного симпозиума, организованного Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лабораторией авиационной электроники ВВС США: пер. с англ.
出版: (Москва, Советское радио, 1972)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
由: Олешко В. И. Владимир Иванович
出版: (2013)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
出版: (2013)

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
出版: (2009)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
出版: (2007)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
由: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
出版: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Т. 13; Электроника
出版: (1981)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
由: Александрова О. А.
出版: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
由: Толбанов О. П.
出版: (2003)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; 01.04.10
由: Криворотов Н. П. Николай Павлович
出版: (Томск, 2002)

Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
由: Александров И. А. Иван Анатольевич
出版: (Новосибирск, 2015)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
由: Градобоев А. В. Александр Васильевич
出版: (Томск, 2003)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
由: Сараева В. Е.
出版: (1989)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
由: Семенова В. И. Валерия Игоревна
出版: (2018)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук:; Спец. 01.04.10
由: Криворотов Н. П. Николай Павлович
出版: (Томск, [Б. и.], 2002)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
由: Градобоев А. В. Александр Васильевич
出版: (Томск, [Б. и.], 2003)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
由: Пешев В. В. Владимир Викторович
出版: (Томск, 1999)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
出版: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
出版: (2009)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
由: Long Stephen I
出版: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
由: Криворотов Н. П. Николай Павлович
出版: (Томск, [Б. и.], 2002)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
由: Потапов А. И. Александр Иванович
出版: (Томск, 1999)

Актуальные проблемы материаловедения: [сборник обзоров]; пер. с англ.; Вып. 2
出版: (Москва, Мир, 1980)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
由: Ардышев М. В.
出版: (2004)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
由: Пешев В. В. Владимир Викторович
出版: (Томск, [Б. и.], 1999)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
由: Толбанов О. П. Олег Петрович
出版: (Томск, 1999)

Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
出版: (2014)

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 1
由: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
出版: (2014)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
由: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
出版: (2011)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
出版: (2011)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
由: Пешев В. В.
出版: (2002)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
由: Потапов А. И. Александр Иванович
出版: (Томск, [Б. и.], 1999)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
由: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
出版: (Томск, 2000)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
由: Максимова Н. К.
出版: (Томск, 1972)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
由: Толбанов О. П. Олег Петрович
出版: (Томск, [Б. и.], 1999)

Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
由: Карлова Г. Ф.
出版: (2003)