Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
| मुख्य लेखक: | |
|---|---|
| निगमित लेखक: | |
| अन्य लेखक: | |
| सारांश: | Защита сост. 24.06.2010 г. |
| भाषा: | रूसी |
| प्रकाशित: |
Томск, 2010
|
| विषय: | |
| स्वरूप: | पुस्तक |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=182683 |
समान संसाधन
Сильно легированные полупроводники
द्वारा: Фистуль В. И. Виктор Ильич
प्रकाशित: (Москва, Наука, 1967)
द्वारा: Фистуль В. И. Виктор Ильич
प्रकाशित: (Москва, Наука, 1967)
Арсенид галлия. Труды Международного симпозиума, организованного Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лабораторией авиационной электроники ВВС США: пер. с англ.
प्रकाशित: (Москва, Советское радио, 1972)
प्रकाशित: (Москва, Советское радио, 1972)
Легированные полупроводниковые материалы: сборник статей
प्रकाशित: (Москва, Наука, 1985)
प्रकाशित: (Москва, Наука, 1985)
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
द्वारा: Олешко В. И. Владимир Иванович
प्रकाशित: (2013)
द्वारा: Олешко В. И. Владимир Иванович
प्रकाशित: (2013)
Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
प्रकाशित: (2013)
प्रकाशित: (2013)
Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
प्रकाशित: (2009)
प्रकाशित: (2009)
Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
प्रकाशित: (2007)
प्रकाशित: (2007)
Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
द्वारा: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
प्रकाशित: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)
द्वारा: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
प्रकाशित: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)
Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
द्वारा: Александрова О. А.
प्रकाशित: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)
द्वारा: Александрова О. А.
प्रकाशित: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)
Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
द्वारा: Толбанов О. П.
प्रकाशित: (2003)
द्वारा: Толбанов О. П.
प्रकाशित: (2003)
Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; 01.04.10
द्वारा: Криворотов Н. П. Николай Павлович
प्रकाशित: (Томск, 2002)
द्वारा: Криворотов Н. П. Николай Павлович
प्रकाशित: (Томск, 2002)
Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
द्वारा: Александров И. А. Иван Анатольевич
प्रकाशित: (Новосибирск, 2015)
द्वारा: Александров И. А. Иван Анатольевич
प्रकाशित: (Новосибирск, 2015)
Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
द्वारा: Градобоев А. В. Александр Васильевич
प्रकाशित: (Томск, 2003)
द्वारा: Градобоев А. В. Александр Васильевич
प्रकाशित: (Томск, 2003)
Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
द्वारा: Семенова В. И. Валерия Игоревна
प्रकाशित: (2018)
द्वारा: Семенова В. И. Валерия Игоревна
प्रकाशित: (2018)
Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
द्वारा: Сараева В. Е.
प्रकाशित: (1989)
द्वारा: Сараева В. Е.
प्रकाशित: (1989)
Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук:; Спец. 01.04.10
द्वारा: Криворотов Н. П. Николай Павлович
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 2002)
द्वारा: Криворотов Н. П. Николай Павлович
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 2002)
Gallium arsenide digital integrated circuit design
द्वारा: Long Stephen I
प्रकाशित: (New York, McGraw-Hill, 1990)
द्वारा: Long Stephen I
प्रकाशित: (New York, McGraw-Hill, 1990)
Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
द्वारा: Градобоев А. В. Александр Васильевич
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 2003)
द्वारा: Градобоев А. В. Александр Васильевич
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 2003)
Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
द्वारा: Пешев В. В. Владимир Викторович
प्रकाशित: (Томск, 1999)
द्वारा: Пешев В. В. Владимир Викторович
प्रकाशित: (Томск, 1999)
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
प्रकाशित: (2014)
प्रकाशित: (2014)
Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
प्रकाशित: (2009)
प्रकाशित: (2009)
Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
द्वारा: Криворотов Н. П. Николай Павлович
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 2002)
द्वारा: Криворотов Н. П. Николай Павлович
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 2002)
Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
द्वारा: Пешев В. В. Владимир Викторович
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 1999)
द्वारा: Пешев В. В. Владимир Викторович
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 1999)
Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
द्वारा: Толбанов О. П. Олег Петрович
प्रकाशित: (Томск, 1999)
द्वारा: Толбанов О. П. Олег Петрович
प्रकाशित: (Томск, 1999)
Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 1
द्वारा: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
प्रकाशित: (2014)
द्वारा: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
प्रकाशित: (2014)
Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
द्वारा: Кабышев А. В. Александр Васильевич
प्रकाशित: (2014)
द्वारा: Кабышев А. В. Александр Васильевич
प्रकाशित: (2014)
Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
प्रकाशित: (2011)
प्रकाशित: (2011)
Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
प्रकाशित: (2014)
प्रकाशित: (2014)
Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
प्रकाशित: (2011)
प्रकाशित: (2011)
Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
द्वारा: Потапов А. И. Александр Иванович
प्रकाशित: (Томск, 1999)
द्वारा: Потапов А. И. Александр Иванович
प्रकाशित: (Томск, 1999)
Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
द्वारा: Ардышев М. В.
प्रकाशित: (2002)
द्वारा: Ардышев М. В.
प्रकाशित: (2002)
Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
द्वारा: Ардышев М. В.
प्रकाशित: (2004)
द्वारा: Ардышев М. В.
प्रकाशित: (2004)
Актуальные проблемы материаловедения: [сборник обзоров]; пер. с англ.; Вып. 2
प्रकाशित: (Москва, Мир, 1980)
प्रकाशित: (Москва, Мир, 1980)
Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
द्वारा: Толбанов О. П. Олег Петрович
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 1999)
द्वारा: Толбанов О. П. Олег Петрович
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 1999)
Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
द्वारा: Карлова Г. Ф.
प्रकाशित: (2003)
द्वारा: Карлова Г. Ф.
प्रकाशित: (2003)
Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
द्वारा: Кабышев А. В. Александр Васильевич
प्रकाशित: (2012)
द्वारा: Кабышев А. В. Александр Васильевич
प्रकाशित: (2012)
The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-2
द्वारा: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
प्रकाशित: (2012)
द्वारा: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
प्रकाशित: (2012)
Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
द्वारा: Карлова Г. Ф.
प्रकाशित: (2011)
द्वारा: Карлова Г. Ф.
प्रकाशित: (2011)
Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
द्वारा: Максимова Н. К.
प्रकाशित: (Томск, 1972)
द्वारा: Максимова Н. К.
प्रकाशित: (Томск, 1972)
Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
द्वारा: Потапов А. И. Александр Иванович
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 1999)
द्वारा: Потапов А. И. Александр Иванович
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 1999)