Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе

Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Otros Autores:	Кожитов Л. В. Лев Васильевич
Lenguaje:	ruso
Publicado:	Москва, Энергия, 1974
Materias:	радиоэлектронные устройства эпитаксиальные слои арсенид галлия приборы подложки эпитаксия осаждение полупроводниковые приборы эпитаксиальное наращивание термодинамика адсорбция
Formato:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=180564

Ejemplares similares

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Publicado: (Ташкент, Фан, 1986)

Радиационный контроль полуизолирующего арсенида галлия; Вестник науки Сибири; № 3 (4)
por: Клименов В. А. Василий Александрович
Publicado: (2012)

Методы контроля качества монокристаллов арсенида галлия и фосфида индия эпитаксиальных слоев.; Исследование распределения напряжений в монокристаллах и эпитаксиальных слоях: Промежуточный отчет о НИР; Тема: х/д 2-51/86
Publicado: (Томск, 1989)

Технология полупроводникового производства (программированное пособие): учебное пособие
por: Мокеев О. К. Олег Константинович
Publicado: (Москва, Высшая школа, 1984)

Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза; Материалы электронной техники
Publicado: (1983)

Основные процессы планарной технологии кремниевых ИПС: учебное пособие
Publicado: (Москва, [Б. и.], 1977)

Арсенид галлия: сборник статей
Publicado: (Томск, Изд-во ТГУ, 1968)

Релаксация наведённого тока в приборах на основе арсенида галлия после воздействия гамма-импульса; Физика твердого тела
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2002)

Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
por: Стебенева В. И.
Publicado: (2018)

Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
por: Пономарев И. В. Иван Викторович
Publicado: (Томск, 2011)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Publicado: (2009)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (Томск, Изд-во ТПУ, 2005)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Publicado: (2011)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Publicado: (Новосибирск, Наука, 1977)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
por: Толбанов О. П.
Publicado: (2003)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
por: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publicado: (Томск, 1999)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; 01.04.10
por: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Publicado: (Томск, 2002)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
por: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1999)

Эпитаксиальные пленки
por: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Publicado: (Москва, Наука, 1971)

Исследование стойкости омического контакта металл-арсенид галлия при гамма-облучении; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2002)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук:; Спец. 01.04.10
por: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2002)

Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2002)

Современные приборы на основе арсенида галлия: пер. с англ.
por: Шур М. С. Михаил Саулович
Publicado: (Москва, Мир, 1991)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
por: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2002)

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: пер. с англ.
Publicado: (Москва, Радио и связь, 1988)

Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
por: Сычева А. В.
Publicado: (2014)

Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
por: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Publicado: (Ташкент, Фан, 1979)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Publicado: (2014)

Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
por: Сытенко Т. Н.
Publicado: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник
Publicado: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1985)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
por: Пешев В. В.
Publicado: (2002)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
por: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publicado: (2018)

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3; Современные техника и технологии; Т. 2
por: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado: (2014)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
por: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Publicado: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (Томск, 2003)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия: отдельный оттиск
por: Каплан Б. Я.
Publicado: (Москва, [Б. и.], 1969)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Ардышев М. В.
Publicado: (2002)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; Спец. 01.04.10
por: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2004)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2003)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Ардышев М. В.
Publicado: (2004)