Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе

Bibliografische gegevens
Hoofdauteur:	Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Andere auteurs:	Кожитов Л. В. Лев Васильевич
Taal:	Russisch
Gepubliceerd in:	Москва, Энергия, 1974
Onderwerpen:	радиоэлектронные устройства эпитаксиальные слои арсенид галлия приборы подложки эпитаксия осаждение полупроводниковые приборы эпитаксиальное наращивание термодинамика адсорбция
Formaat:	Boek
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=180564

Gelijkaardige items

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Gepubliceerd in: (Ташкент, Фан, 1986)

Радиационный контроль полуизолирующего арсенида галлия
door: Клименов В. А. Василий Александрович
Gepubliceerd in: (2012)

Методы контроля качества монокристаллов арсенида галлия и фосфида индия эпитаксиальных слоев. Исследование распределения напряжений в монокристаллах и эпитаксиальных слоях Промежуточный отчет о НИР Тема: х/д 2-51/86
Gepubliceerd in: (Томск, 1989)

Технология полупроводникового производства (программированное пособие) учебное пособие
door: Мокеев О. К. Олег Константинович
Gepubliceerd in: (Москва, Высшая школа, 1984)

Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза
Gepubliceerd in: (1983)

Основные процессы планарной технологии кремниевых ИПС учебное пособие
Gepubliceerd in: (Москва, [Б. и.], 1977)

Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия
door: Стебенева В. И.
Gepubliceerd in: (2018)

Арсенид галлия сборник статей
Gepubliceerd in: (Томск, Изд-во ТГУ, 1968)

Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
door: Пономарев И. В. Иван Викторович
Gepubliceerd in: (Томск, 2011)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства
Gepubliceerd in: (2009)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия
door: Толбанов О. П.
Gepubliceerd in: (2003)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Gepubliceerd in: (Новосибирск, Наука, 1977)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация
Gepubliceerd in: (2011)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук 01.04.10
door: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Gepubliceerd in: (Томск, 2002)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
door: Толбанов О. П. Олег Петрович
Gepubliceerd in: (Томск, 1999)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия
door: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Gepubliceerd in: (Томск, Изд-во ТПУ, 2005)

Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами
door: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Gepubliceerd in: (2002)

Исследование стойкости омического контакта металл-арсенид галлия при гамма-облучении
door: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Gepubliceerd in: (2002)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
door: Толбанов О. П. Олег Петрович
Gepubliceerd in: (Томск, [Б. и.], 1999)

Эпитаксиальные пленки
door: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Gepubliceerd in: (Москва, Наука, 1971)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия
door: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Gepubliceerd in: (2018)

Современные приборы на основе арсенида галлия пер. с англ.
door: Шур М. С. Михаил Саулович
Gepubliceerd in: (Москва, Мир, 1991)

Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3
door: Сычева А. В.
Gepubliceerd in: (2014)

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления пер. с англ.
Gepubliceerd in: (Москва, Радио и связь, 1988)

Кристаллизация и свойства кристаллов межвузовский сборник
Gepubliceerd in: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1985)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия
door: Ардышев М. В.
Gepubliceerd in: (2002)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией
Gepubliceerd in: (2014)

Электрофизические свойства арсенида галлия учебное пособие
door: Сытенко Т. Н.
Gepubliceerd in: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами
door: Пешев В. В.
Gepubliceerd in: (2002)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния
door: Ардышев М. В.
Gepubliceerd in: (2004)

Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
door: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Gepubliceerd in: (Ташкент, Фан, 1979)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук спец. 01.04.10
door: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Gepubliceerd in: (Томск, 2003)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук спец. 01.04.10
door: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Gepubliceerd in: (Томск, [Б. и.], 2003)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
door: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Gepubliceerd in: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3
door: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Gepubliceerd in: (2014)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук Спец. 01.04.10
door: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
Gepubliceerd in: (Томск, [Б. и.], 2004)

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке
door: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Gepubliceerd in: (2012)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук Спец. 01.04.10
door: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
Gepubliceerd in: (Томск, [Б. и.], 2004)

Полупроводниковые приборы и электронная аппаратура межвузовский сборник
Gepubliceerd in: (Кишинев, Штиинца, 1978)

Электроника на основе нитрида галлия пер. с англ.
door: Куэй Р. Рюдигер
Gepubliceerd in: (Москва, Техносфера, 2011)