MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 180564
005 20231031170823.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\195740 
090 |a 180564 
100 |a 20100520d1974 m y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе  |f В. Н. Черняев, Л. В. Кожитов 
210 |a Москва  |c Энергия  |d 1974 
215 |a 232 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 215-229. 
610 1 |a радиоэлектронные устройства 
610 1 |a эпитаксиальные слои 
610 1 |a арсенид галлия 
610 1 |a приборы 
610 1 |a подложки 
610 1 |a эпитаксия 
610 1 |a осаждение 
610 1 |a полупроводниковые приборы 
610 1 |a эпитаксиальное наращивание 
610 1 |a термодинамика 
610 1 |a адсорбция 
675 |a 539.23  |v 3 
700 1 |a Черняев  |b В. Н.  |g Владимир Николаевич 
701 1 |a Кожитов  |b Л. В.  |g Лев Васильевич 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20100520 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20140520  |g RCR 
942 |c BK