MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 180561
005 20231031170823.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\195737 
090 |a 180561 
100 |a 20100520d1984 km y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a UA 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Физические основы полупроводниковой инфракрасной фотоэлектроники. Современные тенденции, новые материалы  |g Академия наук Украинской ССР (АН УССР), Институт полупроводников (ИП)  |f А. В. Любченко, Е. А. Сальков, Ф. Ф. Сизов 
210 |a Киев  |c Наукова думка  |d 1984 
215 |a 256 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 241-254. 
610 1 |a электроника 
610 1 |a фотоэлектроника 
610 1 |a фотоэлектронные приборы 
610 1 |a инфракрасная фотоэлектроника 
610 1 |a полупроводниковая электроника 
610 1 |a полупроводниковые материалы 
610 1 |a зонная структура 
610 1 |a неравновесные процессы 
610 1 |a статика 
610 1 |a рекомендации 
675 |a 621.383  |v 3 
700 1 |a Любченко  |b А. В.  |g Алексей Викторович 
701 1 |a Сальков  |b Е. А.  |g Алексей Викторович 
701 1 |a Сизов  |b Ф. Ф.  |g Федор Федорович 
712 0 2 |a Академия наук Украинской ССР (АН УССР)  |b Институт полупроводников (ИП)  |c (Киев)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\12057 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20100520 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20110215  |g RCR 
942 |c BK