Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия

Podrobná bibliografie
Korporativní autor:	Академия наук Узбекской ССР (АН УзССР) Физико-технический институт
Další autoři:	Искандеров А. (070), Саидов М. С. (340)
Shrnutí:	Авт. указаны на обороте тит. л.
Jazyk:	ruština
Vydáno:	Ташкент, Фан, 1986
Témata:	фотоэлектронные приборы полупроводниковые полупроводники Галлий, арсенид - Полупроводниковые свойства гетеропереходы арсенид галлия солнечные элементы фоточувствительные приборы фоточувствительные материалы фоточувствительные характеристики кристаллизация эпитаксия солнечная энергетика
Médium:	Kniha
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=180188

Podobné jednotky

Фоточувствительные приборы с зарядовой связью
Autor: Пресс Ф. П. Феликс Павлович
Vydáno: (Москва, Радио и связь, 1991)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
Autor: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Vydáno: (Москва, Энергия, 1974)

Фоточувствительные приборы и их применение справочник
Autor: Кайдалов С. А. Сергей Александрович
Vydáno: (Москва, Радио и связь, 1995)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов [сборник]
Vydáno: (Кишинев, Штиинца, 1980)

Современные приборы на основе арсенида галлия пер. с англ.
Autor: Шур М. С. Михаил Саулович
Vydáno: (Москва, Мир, 1991)

Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия
Autor: Стебенева В. И.
Vydáno: (2018)

Полупроводниковые и оптоэлектронные приборы и структуры с отрицательным сопротивлением
Autor: Гурин Н. Т.
Vydáno: (Ульяновск, УлГУ, 2020)

Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами
Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (2002)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия
Autor: Ардышев М. В.
Vydáno: (2002)

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления пер. с англ.
Vydáno: (Москва, Радио и связь, 1988)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия
Autor: Толбанов О. П.
Vydáno: (2003)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
Autor: Толбанов О. П. Олег Петрович
Vydáno: (Томск, 1999)

Электрофизические свойства арсенида галлия учебное пособие
Autor: Сытенко Т. Н.
Vydáno: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
Autor: Толбанов О. П. Олег Петрович
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 1999)

Исследование стойкости омического контакта металл-арсенид галлия при гамма-облучении
Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (2002)

Полупроводниковые приборы сборник научных трудов
Vydáno: (Москва, [Б. и.], 1979)

Радиационный контроль полуизолирующего арсенида галлия
Autor: Клименов В. А. Василий Александрович
Vydáno: (2012)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук 01.04.10
Autor: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Vydáno: (Томск, 2002)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия
Autor: Сараева В. Е.
Vydáno: (1989)

Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах
Autor: Костылев С. А. Сергей Александрович
Vydáno: (Киев, Наукова думка, 1990)

Фоточувствительные МДП-приборы для преобразования изображений
Autor: Ковтонюк Н. Ф. Николай Филлипович
Vydáno: (Москва, Радио и связь, 1990)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия
Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (Томск, Изд-во ТПУ, 2005)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия
Autor: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Vydáno: (2018)

Физические явления в полупроводниковых структурах с глубокими уровнями и оптоэлектроника [сборник]
Vydáno: (Ташкент, Фан, 1977)

Природа фотографической чувствительности
Autor: Чибисов К. В. Константин Владимирович
Vydáno: (Москва, Наука, 1980)

Получение пористого материала на основе отхода полупроводникового производства
Autor: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Vydáno: (2019)

Применение электронной оже-спектроскопии к исследованию полупроводниковых структур на основе арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.07
Autor: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Vydáno: (Томск, 1985)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией
Vydáno: (2014)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
Autor: Long Stephen I
Vydáno: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза
Vydáno: (1983)

Применение микросхем с зарядовой связью
Autor: Стенин В. Я. Владимир Яковлевич
Vydáno: (Москва, Радио и связь, 1989)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами
Autor: Пешев В. В.
Vydáno: (2002)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния
Autor: Ардышев М. В.
Vydáno: (2004)

Усовершенствование технологии поливинилкарбазола Заключительный отчет о НИР Тема : х/д № 5 - 57/83
Vydáno: (Томск, 1985)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук Спец. 01.04.10
Autor: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2004)

Основы оптоэлектроники [учебное пособие]
Autor: Астайкин А. И. Анатолий Иванович
Vydáno: (Москва, Высшая школа, 2007)

Полупроводниковые приборы [тематический сборник]
Vydáno: (Москва, Изд-во МЭИ, 1972)

Синтез мономеров и фоточувствительных полимеров на основе дифениламина диссертация на соискание ученой степени кандидата химическихх наук
Autor: Галкина Г. Ф. Галина Федоровна
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 1980)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук Спец. 01.04.10
Autor: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2004)

Арсенид галлия в микроэлектронике пер. с англ.
Vydáno: (Москва, Мир, 1988)