MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 180188
005 20231031170650.0
020 |a RU  |b 86-40879 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\195337 
090 |a 180188 
100 |a 20100511d1986 km y0rusy5003 ca 
101 0 |a rus 
102 |a UZ 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия  |f Академия наук Узбекской ССР (АН УзССР), Физико-технический институт ; А. Искандеров ; под ред. М. С. Саидова 
210 |a Ташкент  |c Фан  |d 1986 
215 |a 143,[1] с.  |c ил. 
300 |a Авт. указаны на обороте тит. л. 
320 |a Библиогр. в конце глав. 
610 1 |a фотоэлектронные приборы полупроводниковые 
610 1 |a полупроводники 
610 0 |a Галлий, арсенид - Полупроводниковые свойства 
610 1 |a гетеропереходы 
610 1 |a арсенид галлия 
610 1 |a солнечные элементы 
610 1 |a фоточувствительные приборы 
610 1 |a фоточувствительные материалы 
610 1 |a фоточувствительные характеристики 
610 1 |a кристаллизация 
610 1 |a эпитаксия 
610 1 |a солнечная энергетика 
675 |a 621.383  |z rus 
686 |a 47.33  |2 rugasnti 
702 1 |a Искандеров  |b А.  |4 070 
702 1 |a Саидов  |b М. С.  |4 340 
712 0 2 |a Академия наук Узбекской ССР (АН УзССР)  |b Физико-технический институт  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\13582 
801 0 |a RU  |b RuMRKP  |c 19960704  |g psbo 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20100511 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20110215  |g RCR 
942 |c BK