|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
180185 |
| 005 |
20231031170650.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\195334
|
| 090 |
|
|
|a 180185
|
| 100 |
|
|
|a 20100511d1977 km y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a UZ
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Физические явления в полупроводниковых структурах с глубокими уровнями и оптоэлектроника
|e [сборник]
|f Академия наук Узбекской ССР (АН УзССР), Физико-технический институт
|
| 210 |
|
|
|a Ташкент
|c Фан
|d 1977
|
| 215 |
|
|
|a 158 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиография в конце статей
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые структуры
|
| 610 |
1 |
|
|a физические явления
|
| 610 |
1 |
|
|a оптоэлектроника
|
| 610 |
1 |
|
|a инжекционные явления
|
| 610 |
1 |
|
|a фоточувствительные характеристики
|
| 610 |
1 |
|
|a примеси
|
| 610 |
1 |
|
|a ионизирующие излучения
|
| 610 |
1 |
|
|a внешние воздействия
|
| 610 |
1 |
|
|a температурные воздействия
|
| 610 |
1 |
|
|a оптоэлектронные структуры
|
| 610 |
1 |
|
|a синтез
|
| 610 |
1 |
|
|a индуктивность
|
| 610 |
1 |
|
|a емкость
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые эквиваленты
|
| 675 |
|
|
|a 537.311
|v 3
|
| 675 |
|
|
|a 621.383
|v 3
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Академия наук Узбекской ССР (АН УзССР)
|b Физико-технический институт
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\13582
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20100511
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20110221
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
