Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI: материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.

Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI: материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.

Bibliographic Details
Corporate Authors:	Академия наук Азербайджанской ССР (АН АзССР) Институт физики (ИФ), Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI конференция
Language:	Russian
Published:	Баку, Изд-во АН АзССР, 1967
Subjects:	Полупроводники физические основы арсенид галлия твердые растворы оптические свойства электролюминесцентные свойства фосфид галлия p-n переходы спонтанное излучение стимулированное излучение полупроводниковые лазеры магнетосопротивление энергетические зоны структура явления переноса эпитаксиальные пленки исследование конференции
Format:	Book
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=180149

Similar Items

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
by: Новиков В. А. Владимир Александрович
Published: (Томск, [Б. и.], 2007)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия: отдельный оттиск
by: Каплан Б. Я.
Published: (Москва, [Б. и.], 1969)

Полуизолирующие соединения A III B V: пер. с англ.
Published: (Москва, Металлургия, 1984)

Полупроводниковая электроника: сборник научных трудов
Published: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1979)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
by: Потапов А. И. Александр Иванович
Published: (Томск, 1999)

Электрические и оптические свойства полупроводников AIII и BV: [сборник научных трудов]
Published: (Москва, Наука, 1976)

Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 1
Published: (2013)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
by: Потапов А. И. Александр Иванович
Published: (Томск, [Б. и.], 1999)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
by: Александрова О. А.
Published: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Арсенид галлия: сборник статей
Published: (Томск, Изд-во ТГУ, 1968)

Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах
by: Костылев С. А. Сергей Александрович
Published: (Киев, Наукова думка, 1990)

Накопление излучения на 6-МЭВ микротроне на основе стимулированного излучения Смита-Парселла; Физико-технические проблемы атомной энергетики и промышленности
Published: (2005)

Радиационный контроль полуизолирующего арсенида галлия; Вестник науки Сибири; № 3 (4)
by: Клименов В. А. Василий Александрович
Published: (2012)

Stimulated Emission of Active Media in the Red Spectral Range; Russian Physics Journal; Vol. 59, iss. 1
Published: (2016)

Суперлюминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 1-2
Published: (2013)

Исследование и применение широкозонных полупроводников: сборник научных трудов
Published: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1982)

Особенности экситонных спектров монокристаллов CdS(О); Известия вузов. Электроника; № 1 (93)
Published: (2012)

По праву сильного: исторический роман
by: Шаховская Л. Д. Людмила Дмитриевна
Published: (Москва, ФОСКОМ : Фирма "Диалог", 1994)

Проблемы физики поверхности полупроводников
Published: (Киев, Наукова думка, 1981)

Исследование и применение широкозонных полупроводников: сборник научных трудов
Published: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1981)

Исследование полупроводников с широкой и узкой запрещенной зоной
Published: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1983)

Материалы квантовой электроники: учебное пособие для втузов
by: Рябцев Н. Г. Николай Григорьевич
Published: (Москва, Советское радио, 1972)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
by: Толбанов О. П.
Published: (2003)

Использование ИВА-метода при определении среды в легированном селениде галлия; Теория и практика электроаналитической химии
by: Сачкова Е. И.
Published: (2010)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
by: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Published: (2018)

Влияние высокотемпературного отжига и обработка в кислородной плазме на свойства тонких пленок оксида галлия; Электронные приборы, системы и технологии
by: Вишникина В. В.
Published: (2012)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
by: Сараева В. Е.
Published: (1989)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
by: Васенев А. С.
Published: (2012)

Исследование и применение широкозонных полупроводников и приборов
Published: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1980)

Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
by: Александров И. А. Иван Анатольевич
Published: (Новосибирск, 2015)

Power switching transistors based on gallium nitride epitaxial heterostructures; Russian Microelectronics; Vol. 46, iss. 3
by: Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich
Published: (2017)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Published: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Published: (2009)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (Томск, Изд-во ТПУ, 2005)

Исследование процесса формирования магнитных наноструктур на основе галлия и железа; К вершинам науки
by: Маматова А. М. Алина Манасовна
Published: (2024)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Толбанов О. П. Олег Петрович
Published: (Томск, 1999)

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 1
by: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Published: (2014)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2014)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)