Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.

Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.

Détails bibliographiques
Collectivités auteurs:	Академия наук Азербайджанской ССР (АН АзССР) Институт физики (ИФ), Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI конференция
Publié:	Баку, Изд-во АН АзССР, 1967
Sujets:	физические основы арсенид галлия твердые растворы оптические свойства электролюминесцентные свойства фосфид галлия p-n переходы спонтанное излучение стимулированное излучение полупроводниковые лазеры магнетосопротивление энергетические зоны структура явления переноса эпитаксиальные пленки исследование конференции
Format:	Livre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=180149

Documents similaires

Арсенид галлия сборник статей
Publié: (Томск, Изд-во ТГУ, 1968)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия отдельный оттиск
par: Каплан Б. Я.
Publié: (Москва, [Б. и.], 1969)

Электрические и оптические свойства полупроводников AIII и BV [сборник научных трудов]
Publié: (Москва, Наука, 1976)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Publié: (Новосибирск, Наука, 1977)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
par: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Publié: (Москва, Энергия, 1974)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
par: Потапов А. И. Александр Иванович
Publié: (Томск, 1999)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
par: Потапов А. И. Александр Иванович
Publié: (Томск, [Б. и.], 1999)

Полуизолирующие соединения A III B V пер. с англ.
Publié: (Москва, Металлургия, 1984)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
par: Новиков В. А. Владимир Александрович
Publié: (Томск, [Б. и.], 2007)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
par: Александрова О. А.
Publié: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах
par: Костылев С. А. Сергей Александрович
Publié: (Киев, Наукова думка, 1990)

Методы контроля качества монокристаллов арсенида галлия и фосфида индия эпитаксиальных слоев. Исследование распределения напряжений в монокристаллах и эпитаксиальных слоях Промежуточный отчет о НИР Тема: х/д 2-51/86
Publié: (Томск, 1989)

Полупроводниковая электроника сборник научных трудов
Publié: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1979)

Радиационный контроль полуизолирующего арсенида галлия
par: Клименов В. А. Василий Александрович
Publié: (2012)

Кристаллизация и свойства кристаллов межвузовский сборник
Publié: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1985)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия
par: Толбанов О. П.
Publié: (2003)

Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
par: Пономарев И. В. Иван Викторович
Publié: (Томск, 2011)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия
par: Сараева В. Е.
Publié: (1989)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия
par: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publié: (2018)

Взаимодействие лазерного излучения с полупроводниками типа А III B VI
par: Абдуллаев Г. М. Б. Гасан Мамед Багир-оглы
Publié: (Баку, Элм, 1979)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства
Publié: (2009)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией
Publié: (2014)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия
par: Ардышев М. В.
Publié: (2002)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы
par: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация
Publié: (2011)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства
Publié: (2011)

Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation
Publié: (2014)

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma
par: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publié: (2014)

Актуальные проблемы материаловедения [сборник обзоров] пер. с англ.
Publié: (Москва, Мир, 1980)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
par: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publié: (Томск, 1999)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния
par: Ардышев М. В.
Publié: (2004)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
par: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publié: (Томск, [Б. и.], 1999)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
par: Максимова Н. К.
Publié: (Томск, 1972)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами
par: Пешев В. В.
Publié: (2002)

Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия
par: Карлова Г. Ф.
Publié: (2003)

Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия
par: Карлова Г. Ф.
Publié: (2011)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка
Publié: (2007)

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке
par: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2012)

The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation
par: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publié: (2012)

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation
Publié: (2009)