О времени запаздывания разряда в тонких слоях ионных кристаллов; Тезисы докладов Третьей межвузовской конференции по современной технике диэлектриков и полупроводников, Ленинград

Dades bibliogràfiques
Parent link:	Тезисы докладов Третьей межвузовской конференции по современной технике диэлектриков и полупроводников, Ленинград.— 1960.— С. 25
Autor principal:	Кострыгин В. А.
Idioma:	rus
Publicat:	1960
Matèries:	электричество труды учёных ТПУ диэлектрики пробой
Format:	Capítol de llibre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=178380

MARC


LEADER	00000naa2a2200000 4500
001	178380
005	20231031165859.0
035			\|a (RuTPU)RU\TPU\book\193381
035			\|a RU\TPU\tpu\4311
090			\|a 178380
100			\|a 20100407d1960 k y0rusy50 ca
101	0		\|a rus
102			\|a RU
200	1		\|a О времени запаздывания разряда в тонких слоях ионных кристаллов \|f В. А. Кострыгин
463		0	\|0 (RuTPU)RU\TPU\book\186781 \|t Тезисы докладов Третьей межвузовской конференции по современной технике диэлектриков и полупроводников, Ленинград \|f Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ) \|v С. 25 \|d 1960 \|p 167 с.
610	1		\|a электричество
610	1		\|a труды учёных ТПУ
610	1		\|a диэлектрики
610	1		\|a пробой
700		1	\|a Кострыгин \|b В. А.
801		0	\|a RU \|b 63413507 \|c 20011210 \|g PSBO
801		2	\|a RU \|b 63413507 \|c 20100407 \|g PSBO
942			\|c BK