Микро- и нанотехнологии пленочных гетерокомпозиций: курс лекций
| Príomhchruthaitheoir: | |
|---|---|
| Údar corparáideach: | |
| Rannpháirtithe: | , |
| Achoimre: | В курсе лекций рассматриваются принципы построения, организации и функционирования наноразмерных гетерокомпозиций, физико-химические основы метода Ленгмюра - Блоджетт, ионно-плазменного получения пленок аморфного гидрогенизированного кремния, проблемы деградации параметров пленочных структур. Анализируются эффекты размерного квантования в полупроводниковых наноструктурах, закономерности ионно-плазменного получения пленок нитридов металлов и карбида кремния, а также формирования топологии микросхем с применением неразрушающих методов контроля. Обсуждаются и анализируются особенности технологии молекулярно-пучковой и МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых соединений. Излагаются основы синтеза сверхрешеток алмазоподобных широкозонных материалов и структурно-ориентационного изоморфизма. Приводятся примеры создания микро- и наноразмерных приборов микросистемной техники с использованием ионных процессов. Содержание курса лекций соответствует программе. Предназначен для студентов (бакалавров и магистров), обучающихся по направлениям 210100 «Электроника и микроэлектроника», 210600 «Нанотехнология», 210601 «Нанотехнология в электронике» и по специальности 210602 «Наноматериалы». |
| Teanga: | Rúisis |
| Foilsithe / Cruthaithe: |
Москва, Изд-во МИСиС, 2008
|
| Ábhair: | |
| Formáid: | LEABHAR |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=177792 |
| Cur síos fisiciúil: | 191 с. ил. |
|---|---|
| Achoimre: | В курсе лекций рассматриваются принципы построения, организации и функционирования наноразмерных гетерокомпозиций, физико-химические основы метода Ленгмюра - Блоджетт, ионно-плазменного получения пленок аморфного гидрогенизированного кремния, проблемы деградации параметров пленочных структур. Анализируются эффекты размерного квантования в полупроводниковых наноструктурах, закономерности ионно-плазменного получения пленок нитридов металлов и карбида кремния, а также формирования топологии микросхем с применением неразрушающих методов контроля. Обсуждаются и анализируются особенности технологии молекулярно-пучковой и МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых соединений. Излагаются основы синтеза сверхрешеток алмазоподобных широкозонных материалов и структурно-ориентационного изоморфизма. Приводятся примеры создания микро- и наноразмерных приборов микросистемной техники с использованием ионных процессов. Содержание курса лекций соответствует программе. Предназначен для студентов (бакалавров и магистров), обучающихся по направлениям 210100 «Электроника и микроэлектроника», 210600 «Нанотехнология», 210601 «Нанотехнология в электронике» и по специальности 210602 «Наноматериалы». |