Применение модифицированной функции гиперболического тангенса для аппроксимации вольтамперных характеристик полевых транзисторов; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 314, № 4: Энергетика
| Parent link: | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 314, № 4: Энергетика.— 2009.— [С. 135-138] |
|---|---|
| Autor principal: | |
| Otros Autores: | |
| Sumario: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Предложено единое аналитическое выражение, позволяющее аппроксимировать вольтамперные характеристики полевых транзисторов во всей области допустимых напряжений при прямом и инверсном включении. Погрешность аппроксимации не превышает 20 % в области рабочих напряжений на затворе при положительных и отрицательных напряжениях на стоке. |
| Lenguaje: | ruso |
| Publicado: |
2009
|
| Colección: | Энергетика |
| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2009/v314/i4/32.pdf |
| Formato: | Electrónico Capítulo de libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=175479 |