Фотовольтаический и фоторефрактивный эффект в пьезоэлектрических кристаллах

Détails bibliographiques
Parent link:Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000-
Т. 314, № 2: Математика и механика. Физика.— 2009.— [С. 149-152]
Auteur principal: Каримов Б. Х.
Résumé:Заглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
Рассмотрены фотовольтаическиие и фоторефрактивные эффекты в пьезоэлектрических кристаллах ZnS. Обсуждены экспериментальные и физические основы фотовольтаического эффекта в пьезоэлектрических кристаллах ZnS. Определены фотовольтаические коэффициенты kijk для ZnS (К14≈510-9 Асм(Вт)-1), которые более чем на порядок превышают соответствующие коэффициенты для LiNbO3:Fe. Показана возможность использования фотопьезоэлектриков для голографической записи.
Publié: 2009
Collection:Математика и механика. Физика
Sujets:
Accès en ligne:http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2009/v314/i2/34.pdf
Format: Électronique Chapitre de livre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=174410
Description
Description matérielle:1 файл (306 Кб)
Résumé:Заглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
Рассмотрены фотовольтаическиие и фоторефрактивные эффекты в пьезоэлектрических кристаллах ZnS. Обсуждены экспериментальные и физические основы фотовольтаического эффекта в пьезоэлектрических кристаллах ZnS. Определены фотовольтаические коэффициенты kijk для ZnS (К14≈510-9 Асм(Вт)-1), которые более чем на порядок превышают соответствующие коэффициенты для LiNbO3:Fe. Показана возможность использования фотопьезоэлектриков для голографической записи.