Моделирование двойного электрического слоя в диоде, заполненном плазмой инертных газов
| Parent link: | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 313, № 2: Математика и механика. Физика.— 2008.— [С. 67-69] |
|---|---|
| Autor principal: | |
| Otros Autores: | , |
| Sumario: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Рассмотрена задача моделирования формирования двойного электрического слоя в диоде, заполненном гелиевой или аргоновой плазмой низкой плотности. Дается описание численной модели, разработанной в среде MatLab. Приведены результаты моделирования параметров двойного слоя и напряженности электрического поля на катоде. Определено влияние различных параметров плазмы и ускоряющего напряжения на процесс формирования двойного слоя и распределение потенциала. |
| Lenguaje: | ruso |
| Publicado: |
2008
|
| Colección: | Математика и механика. Физика |
| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2008/v313/i2/16.pdf |
| Formato: | Electrónico Capítulo de libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=173476 |
| Descripción Física: | 1 файл (391 Кб) |
|---|---|
| Sumario: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Рассмотрена задача моделирования формирования двойного электрического слоя в диоде, заполненном гелиевой или аргоновой плазмой низкой плотности. Дается описание численной модели, разработанной в среде MatLab. Приведены результаты моделирования параметров двойного слоя и напряженности электрического поля на катоде. Определено влияние различных параметров плазмы и ускоряющего напряжения на процесс формирования двойного слоя и распределение потенциала. |