Микроморфология монокристаллов AgGaS[2]
| Parent link: | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 312, № 2 : Математика и механика. Физика.— 2008.— [С. 137-139] |
|---|---|
| Altri autori: | , , , , |
| Riassunto: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Монокристаллы AgGaS[2] выращены методом Бриджмена в условиях вращения термического поля. Полученные кристаллы характеризуются значительным рассеянием света из-за эффекта "тумана". Методом сканирующей электронной микроскопии в объеме выращенного кристалла обнаружено наличие выделений с характерными размерами 50...100 нм. Методом дифракции электронов высоких энергий на отражение установлено поликристаллическое состояние механически полированной поверхности AgGaS[2]. Обнаруженные включения были удалены путем длительной высокотемпературной обработки кристалла в парах Ag[2]S. Установлено полное подобие спектров комбинационного рассеяния для выращенного и дополнительно термически обработанного кристаллов AgGaS[2]. |
| Pubblicazione: |
2008
|
| Serie: | Математика и механика. Физика |
| Soggetti: | |
| Accesso online: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2008/v312/i2/31.pdf |
| Natura: | Elettronico Capitolo di libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=172950 |
| Descrizione fisica: | 1 файл (1.2 Мб) |
|---|---|
| Riassunto: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Монокристаллы AgGaS[2] выращены методом Бриджмена в условиях вращения термического поля. Полученные кристаллы характеризуются значительным рассеянием света из-за эффекта "тумана". Методом сканирующей электронной микроскопии в объеме выращенного кристалла обнаружено наличие выделений с характерными размерами 50...100 нм. Методом дифракции электронов высоких энергий на отражение установлено поликристаллическое состояние механически полированной поверхности AgGaS[2]. Обнаруженные включения были удалены путем длительной высокотемпературной обработки кристалла в парах Ag[2]S. Установлено полное подобие спектров комбинационного рассеяния для выращенного и дополнительно термически обработанного кристаллов AgGaS[2]. |