Расчет нелинейных искажений в пассивных аттенюаторах на полевых транзисторах; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 310, № 1

Расчет нелинейных искажений в пассивных аттенюаторах на полевых транзисторах; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 310, № 1

Библиографические подробности
Источник:	Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 310, № 1.— 2007.— [С. 202-205]
Главный автор:	Туев В. И.
Примечания:	Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Предложен метод расчета нелинейных передаточных функций пассивных аттенюаторов на полевых транзисторах. Метод пригоден для расчета регулировочной характеристики и нелинейных искажений аттенюаторов на полевых транзисторах с затвором на основе p-n перехода, МДП-структуры и барьера Шотки. Представлены результаты исследования аттенюаторов с параллельным, последовательным и смешанным соединением регулируемых элементов.
Язык:	русский
Опубликовано:	2007
Серии:	Энергетика
Предметы:	расчеты нелинейные искажения пассивные аттенюаторы полевые транзисторы метод нелинейные функции передаточные функции регулировочные характеристики затворы переходы МДП-структуры металл-диэлектрик-полупроводник барьеры Шоттки исследования параллельные соединения последовательные соединения смешанные соединения элементы электронный ресурс
Online-ссылка:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2007/v310/i1/46.pdf
Формат:	Электронный ресурс Статья
Запись в KOHA:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=171998

Схожие документы

Программа расчета параметров МДП-структуры по методу Термана; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 309, № 8
по: Давыдов В. Н.
Опубликовано: (2006)

Физические основы электроники : полевые приборы : лабораторный практикум
по: Диденко С. И.
Опубликовано: (Москва, МИСИС, 2016)

Преобразование изображений в структурах полупроводник - диэлектрик
по: Думаревский Ю. Д. Юрий Дмитриевич
Опубликовано: (Москва, Наука, 1987)

Теория и расчет полупроводниковых приборов и интегральных схем: Полевые транзисторы лабораторный практикум
по: Кольцов Г. И.
Опубликовано: (Москва, МИСИС, 2001)

Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда
по: Овсюк В. Н. Виктор Николаевич
Опубликовано: (Новосибирск, Наука, 1984)

Вып. 16; Диэлектрики и полупроводники
Опубликовано: (1979)

Физические основы продукции высокотехнологичного производства
по: Вострецова Л. Н.
Опубликовано: (Ульяновск, УлГУ, 2021)

Моделирование структур аттенюаторов на полевых транзисторах с минимальным изменением фазового сдвига при регулировании ослабления; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 311, № 4 : Энергетика
по: Стукач О. В. Олег Владимирович
Опубликовано: (2007)

Основные физические процессы в проводниках, полупроводниках и диэлектриках учебное пособие
по: Филяк М. М.
Опубликовано: (Оренбург, ОГУ, 2015)

Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников
по: Саченко А. В. Анатолий Васильевич
Опубликовано: (Киев, Наукова думка, 1984)

Новые материалы электронной техники: сборник научных трудов
Опубликовано: (Новосибирск, Наука, 1990)

Соединения неподвижные разъемные пневмогидросистем. Типы и технические требования. Конструкция и размеры. Технические условия; ГОСТ 19749-84 Соединения неподвижные разъемные пневмогидросистем. Затворы закрытые. Типы и технические требования; ГОСТ 19750-84 Концевая часть затворов соединений с плоской металличекой прокладкой. Конструкция и размеры; ГОСТ 19751-84 Гнезда затворов соединений с плоской металлической прокладкой. Конструкция и размеры; ГОСТ 19752-84 Прокладки уплотнительные металические плоские для закрытых затворов соединений. Технические условия; ГОСТ 19753-84 Концевая часть затворов соединений с конической металлической прокладкой. Конструкция и размеры; ГОСТ 19754-84 Гнезда затворов соединений с конической металлической прокладкой. Конструкция и размеры; ГОСТ 19755-84 Прокладки уплотнительные металлические конические для закрытых затворов соединений. Технические условия
Опубликовано: (Москва, Изд-во стандартов, 1984)

Соединения неподвижные разъемные пневмогидросистем. Типы и технические требования. Конструкция и размеры. Технические условия; ГОСТ 19749-84 Соединения неподвижные разъемные пневмогидросистем. Затворы закрытые. Типы и технические требования; ГОСТ 19750-84 Концевая часть затворов соединений с плоской металличекой прокладкой. Конструкция и размеры; ГОСТ 19751-84 Гнезда затворов соединений с плоской металлической прокладкой. Конструкция и размеры; ГОСТ 19752-84 Прокладки уплотнительные металические плоские для закрытых затворов соединений. Технические условия; ГОСТ 19753-84 Концевая часть затворов соединений с конической металлической прокладкой. Конструкция и размеры; ГОСТ 19754-84 Гнезда затворов соединений с конической металлической прокладкой. Конструкция и размеры; ГОСТ 19755-84 Прокладки уплотнительные металлические конические для закрытых затворов соединений. Технические условия
Опубликовано: (Москва, Изд-во стандартов, 1986)

Фазовый переход металл-полупроводник и его применение
по: Бугаев А. А. Алексей Алексеевич
Опубликовано: (Ленинград, Наука, 1979)

Компоненты МОП-интегральных микросхем
по: Румак Н. В. Николай Владимирович
Опубликовано: (Минск, Наука и техника, 1991)

Электронные процессы в твердых телах: межвузовский сборник научных трудов
Опубликовано: (Ленинград, Изд-во ЛГПИ, 1986)

Исследование СВЧ-тракта синтезатора и разработка его модели при проектировании системы АРУ; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 4 (34)
по: Демьянович Д. Н. Дмитрий Николаевич
Опубликовано: (2014)

Electrical installation calculations: Vol. 3
по: Watkins A. J.
Опубликовано: (London, Arnold, 1999)

Термостимулированные токи в неорганических веществах: монография
по: Вертопрахов В. Н. Владимир Никифорович
Опубликовано: (Новосибирск, Наука, 1979)

Характеристики коммутаторного взаимно индуктивно-конденсаторного импульсного генератора; Электротехника; № 3
по: Носов Г. В. Геннадий Васильевич
Опубликовано: (2025)

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники: учебное пособие для вузов
по: Старосельский В. И. Виктор Игоревич
Опубликовано: (Москва, Юрайт, 2011)

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники: учебное пособие
по: Старосельский В. И. Виктор Игоревич
Опубликовано: (Москва, Высшее образование, 2009)

Введение в физику полупроводниковых диодов и методы их проектирования с использованием высокопроизводительных вычислений учебное пособие
по: Волкова Е. В.
Опубликовано: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2020)

Физические основы полупроводникового материаловедения: сборник научных трудов
Опубликовано: (Киев, Наукова думка, 1982)

Основы диагностики полупроводниковых структур учебное пособие
по: Вострецов Д. Я.
Опубликовано: (Ульяновск, УлГУ, 2018)

Контакты металл-полупроводник: пер. с англ.
по: Родерик Э. Х. Эмвил Х.
Опубликовано: (Москва, Радио и связь, 1982)

Монолитная интегральная схема двухпозиционного СВЧ коммутатора на GaAs; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 309, № 8
Опубликовано: (2006)

Межфазные превращения и формирование поверхности многокомпонентных полупроводников в жидких средах: учебное пособие
по: Мокроусов Г. М. Геннадий Михайлович
Опубликовано: (Санкт-Петербург, Лань, 2015)

Твердотельная электроника учебно-методическое пособие
по: Ковалев А. Н.
Опубликовано: (Москва, МИСИС, 2010)

Сборник задач по физике поверхности полупроводников: учебное пособие
по: Гуртов В. А. Валерий Алексеевич
Опубликовано: (Петрозаводск, Изд-во ПГУ, 1985)

Синтез управляемых аттенюаторов с малыми нелинейными искажениями; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 306, № 4
по: Ким В. Л. Валерий Львович
Опубликовано: (2003)

Основы расчета трубопроводной арматуры
по: Гуревич Д. Ф. Давид Файвушев
Опубликовано: (Москва, Машгиз, 1956)

Применение контакта металл-полупроводник в электронике
по: Валиев К. А. Камиль Ахметович
Опубликовано: (Москва, Радио и связь, 1981)

Основы микросхемотехники: [учебное пособие]
по: Алексенко А. Г. Андрей Геннадьевич
Опубликовано: (Москва, ЮНИМЕДИАСТАЙЛ, 2002)

Полимеры в узлах трения и уплотнения при низких температурах: справочник
по: Макушкин А. П. Анатолий Павлович
Опубликовано: (Москва, Машиностроение, 1993)

Неравновесные процессы в структурах металл-диэлектрик-полупроводник
по: Гуртов В. А. Валерий Алексеевич
Опубликовано: (Петрозаводск, Изд-во ПГУ, 1986)

Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
по: Дорохин М. В.
Опубликовано: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2013)

Элементы сверхбольших интегральных схем
по: Аваев Н. А. Николай Александрович
Опубликовано: (Москва, Радио и связь, 1986)

Основы микросхемотехники
по: Алексенко А. Г. Андрей Геннадьевич
Опубликовано: (Москва, БИНОМ. Лаборатория знаний, 2006)

Элементарные физико-химические процессы на поверхности монокристаллических полупроводников
Опубликовано: (Новосибирск, Наука, 1975)