Программа расчета параметров МДП-структуры по методу Термана; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 309, № 8
| Parent link: | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 309, № 8.— 2006.— [С. 47-51] |
|---|---|
| Päätekijä: | |
| Muut tekijät: | , |
| Yhteenveto: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Проанализированы модели расчета высокочастотных вольт-фарадных характеристик. На основе выбранной модели разработана программа расчета параметров МДП-структуры, а также идеальной вольт-фарадной характеристики и плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик. |
| Kieli: | venäjä |
| Julkaistu: |
2006
|
| Sarja: | Технические науки |
| Aiheet: | |
| Linkit: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2006/v309/i8/10.pdf |
| Aineistotyyppi: | Elektroninen Kirjan osa |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=171866 |
| Ulkoasu: | 1 файл (4.8 Мб) |
|---|---|
| Yhteenveto: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Проанализированы модели расчета высокочастотных вольт-фарадных характеристик. На основе выбранной модели разработана программа расчета параметров МДП-структуры, а также идеальной вольт-фарадной характеристики и плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик. |