Программа расчета параметров МДП-структуры по методу Термана; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 309, № 8

Bibliografiset tiedot
Parent link:Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000-
Т. 309, № 8.— 2006.— [С. 47-51]
Päätekijä: Давыдов В. Н.
Muut tekijät: Троян П. Е., Зайцев Н. Г.
Yhteenveto:Заглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
Проанализированы модели расчета высокочастотных вольт-фарадных характеристик. На основе выбранной модели разработана программа расчета параметров МДП-структуры, а также идеальной вольт-фарадной характеристики и плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик.
Kieli:venäjä
Julkaistu: 2006
Sarja:Технические науки
Aiheet:
Linkit:http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2006/v309/i8/10.pdf
Aineistotyyppi: Elektroninen Kirjan osa
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=171866
Kuvaus
Ulkoasu:1 файл (4.8 Мб)
Yhteenveto:Заглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
Проанализированы модели расчета высокочастотных вольт-фарадных характеристик. На основе выбранной модели разработана программа расчета параметров МДП-структуры, а также идеальной вольт-фарадной характеристики и плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик.