Электрический разряд по поверхности твердого диэлектрика; Ч. 2; Исследование сильноточного коммутатора; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 309, № 2
| Parent link: | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 309, № 2.— 2006.— [С. 79-82] |
|---|---|
| Outros Autores: | , , , |
| Resumo: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Экспериментально исследовались влияние зарядного напряжения и индуктивности нагрузки на характеристики коммутатора, работающего на принципе пробоя по поверхности диэлектрика. Измерены импеданс, активное сопротивление и индуктивность при различных режимах работы коммутатора. Обнаружено, что для времени 5…18 мкс имеет место квазистационарная стадия разряда, когда индуктивность и активное сопротивление коммутатора постоянны. |
| Idioma: | russo |
| Publicado em: |
2006
|
| coleção: | Технические науки |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2006/v309/i2/16.pdf |
| Formato: | Recurso Eletrônico Capítulo de Livro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=171173 |
| Descrição Física: | 1 файл (292 Кб) |
|---|---|
| Resumo: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Экспериментально исследовались влияние зарядного напряжения и индуктивности нагрузки на характеристики коммутатора, работающего на принципе пробоя по поверхности диэлектрика. Измерены импеданс, активное сопротивление и индуктивность при различных режимах работы коммутатора. Обнаружено, что для времени 5…18 мкс имеет место квазистационарная стадия разряда, когда индуктивность и активное сопротивление коммутатора постоянны. |