Основное состояние в структурнонеустойчивом кристалле; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 308, № 5
| Parent link: | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 308, № 5.— 2005.— [С. 14-18] |
|---|---|
| Autor principal: | |
| Sumari: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Теоретически показано, что в окрестности структурного перехода мартенситного типа внешнее воздействие уменьшает площадь горба, разделяющего минимумы двухямного потенциала атома. Это приводит к возникновению эффекта квантового туннелирования и уменьшению асимметрии двухямного потенциала, что открывает возможность переходов из узлов исходной решетки в узлы конечной решетки (конфигурационных смещений) и возникновения предпереходного состояния. |
| Idioma: | rus |
| Publicat: |
2005
|
| Col·lecció: | Естественные науки |
| Matèries: | |
| Accés en línia: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2005/v308/i5/03.pdf |
| Format: | Electrònic Capítol de llibre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=170661 |