Основное состояние в структурнонеустойчивом кристалле; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 308, № 5
| Parent link: | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 308, № 5.— 2005.— [С. 14-18] |
|---|---|
| Autore principale: | |
| Riassunto: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Теоретически показано, что в окрестности структурного перехода мартенситного типа внешнее воздействие уменьшает площадь горба, разделяющего минимумы двухямного потенциала атома. Это приводит к возникновению эффекта квантового туннелирования и уменьшению асимметрии двухямного потенциала, что открывает возможность переходов из узлов исходной решетки в узлы конечной решетки (конфигурационных смещений) и возникновения предпереходного состояния. |
| Lingua: | russo |
| Pubblicazione: |
2005
|
| Serie: | Естественные науки |
| Soggetti: | |
| Accesso online: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2005/v308/i5/03.pdf |
| Natura: | Elettronico Capitolo di libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=170661 |
MARC
| LEADER | 00000nla2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 170661 | ||
| 005 | 20231031163739.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\book\185066 | ||
| 035 | |a RU\TPU\book\185063 | ||
| 090 | |a 170661 | ||
| 100 | |a 20091125d2005 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drnn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Основное состояние в структурнонеустойчивом кристалле |b Электронный ресурс |f Е. Е. Слядников | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 215 | |a 1 файл (263 Кб) | ||
| 225 | 1 | |a Естественные науки | |
| 230 | |a Электронные текстовые данные (1 файл : 263 Кб) | ||
| 300 | |a Заглавие с титульного листа | ||
| 300 | |a Электронная версия печатной публикации | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 18 (11 назв.)] | ||
| 330 | |a Теоретически показано, что в окрестности структурного перехода мартенситного типа внешнее воздействие уменьшает площадь горба, разделяющего минимумы двухямного потенциала атома. Это приводит к возникновению эффекта квантового туннелирования и уменьшению асимметрии двухямного потенциала, что открывает возможность переходов из узлов исходной решетки в узлы конечной решетки (конфигурационных смещений) и возникновения предпереходного состояния. | ||
| 337 | |a Adobe Reader | ||
| 461 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\book\176237 |t Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ] |f Томский политехнический университет (ТПУ) |d 2000- | |
| 463 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\book\185053 |t Т. 308, № 5 |v [С. 14-18] |d 2005 |p 231 с. | |
| 610 | 1 | |a состояния | |
| 610 | 1 | |a структурнонеустойчивые кристаллы | |
| 610 | 1 | |a структурные переходы | |
| 610 | 1 | |a мартенситный тип | |
| 610 | 1 | |a внешнее воздействие | |
| 610 | 1 | |a площади | |
| 610 | 1 | |a горбы | |
| 610 | 1 | |a минимумы | |
| 610 | 1 | |a потенциалы | |
| 610 | 1 | |a атомы | |
| 610 | 1 | |a эффекты | |
| 610 | 1 | |a туннелирование | |
| 610 | 1 | |a асимметрия | |
| 610 | 1 | |a узлы | |
| 610 | 1 | |a решетки | |
| 610 | 1 | |a конфигурационные смещения | |
| 610 | 1 | |a переходные состояния | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 700 | 1 | |a Слядников |b Е. Е. |c ведущий научный сотрудник научно-образовательного инновационного центра "Наноматериалы и нанотехнологии" ТПУ |c доктор физико-математических наук |c старший научый сотротрудник отдела проблем информатизации ТНЦ СО РАН |f 1962- |g Евгений Евгеньевич |2 stltpush |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25592 | |
| 801 | 1 | |a RU |b 63413507 |c 20090623 |g PSBO | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20211012 |g PSBO | |
| 856 | 4 | |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2005/v308/i5/03.pdf | |
| 942 | |c CF | ||