Влияние неоднородных электрических полей на спектры DLTS полупроводников, облученных нейтронами; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 308, № 2
| Parent link: | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 308, № 2.— 2005.— [С. 74-79] |
|---|---|
| Egile nagusia: | |
| Gaia: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Получено аналитическое выражение для описания спектров DLTS дефектов в полупроводниках, содержащих встроенные электрические поля областей разупорядочения. Из сопоставления расчетных и экспериментальных спектров для GaAs n-типа, облученного быстрыми нейтронами, сделана попытка связать происхождение U-полосы с известными радиационными дефектами P2 и P3. Учитывалось, что форма и местоположение пиков дефектов в спектрах DLTS изменены вследствие влияния внутренних электрических полей на скорость эмиссии электронов с уровней этих дефектов. |
| Hizkuntza: | errusiera |
| Argitaratua: |
2005
|
| Saila: | Технические науки |
| Gaiak: | |
| Sarrera elektronikoa: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2005/v308/i2/13.pdf |
| Formatua: | MixedMaterials Baliabide elektronikoa Liburu kapitulua |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=170291 |
MARC
| LEADER | 00000naa2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 170291 | ||
| 005 | 20231031163658.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\book\184687 | ||
| 035 | |a RU\TPU\book\184686 | ||
| 090 | |a 170291 | ||
| 100 | |a 20091120d2005 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drnn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Влияние неоднородных электрических полей на спектры DLTS полупроводников, облученных нейтронами |b Электронный ресурс |f В. В. Пешев | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 215 | |a 1 файл (338 Кб) | ||
| 225 | 1 | |a Технические науки | |
| 230 | |a Электронные текстовые данные (1 файл : 338 Кб) | ||
| 300 | |a Заглавие с титульного листа | ||
| 300 | |a Электронная версия печатной публикации | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 79 (15 назв.)] | ||
| 330 | |a Получено аналитическое выражение для описания спектров DLTS дефектов в полупроводниках, содержащих встроенные электрические поля областей разупорядочения. Из сопоставления расчетных и экспериментальных спектров для GaAs n-типа, облученного быстрыми нейтронами, сделана попытка связать происхождение U-полосы с известными радиационными дефектами P2 и P3. Учитывалось, что форма и местоположение пиков дефектов в спектрах DLTS изменены вследствие влияния внутренних электрических полей на скорость эмиссии электронов с уровней этих дефектов. | ||
| 337 | |a Adobe Reader | ||
| 461 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\book\176237 |t Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ] |f Томский политехнический университет (ТПУ) |d 2000- | |
| 463 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\book\184655 |t Т. 308, № 2 |v [С. 74-79] |d 2005 |p 248 с. | |
| 610 | 1 | |a неоднородные поля | |
| 610 | 1 | |a электрические поля | |
| 610 | 1 | |a полупроводники | |
| 610 | 1 | |a нейтроны | |
| 610 | 1 | |a аналитические выражения | |
| 610 | 1 | |a разупорядочение | |
| 610 | 1 | |a расчетные спектры | |
| 610 | 1 | |a экспериментальные спектры | |
| 610 | 1 | |a полосы | |
| 610 | 1 | |a радиационные дефекты | |
| 610 | 1 | |a формы | |
| 610 | 1 | |a местоположение | |
| 610 | 1 | |a внутренние поля | |
| 610 | 1 | |a скорость | |
| 610 | 1 | |a эмиссия | |
| 610 | 1 | |a электроны | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 700 | 1 | |a Пешев |b В. В. | |
| 801 | 1 | |a RU |b 63413507 |c 20090623 |g PSBO | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20210809 |g PSBO | |
| 856 | 4 | |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2005/v308/i2/13.pdf | |
| 942 | |c BK | ||