Влияние неоднородных электрических полей на спектры DLTS полупроводников, облученных нейтронами
| Parent link: | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 308, № 2.— 2005.— [С. 74-79] |
|---|---|
| Main Author: | |
| Summary: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Получено аналитическое выражение для описания спектров DLTS дефектов в полупроводниках, содержащих встроенные электрические поля областей разупорядочения. Из сопоставления расчетных и экспериментальных спектров для GaAs n-типа, облученного быстрыми нейтронами, сделана попытка связать происхождение U-полосы с известными радиационными дефектами P2 и P3. Учитывалось, что форма и местоположение пиков дефектов в спектрах DLTS изменены вследствие влияния внутренних электрических полей на скорость эмиссии электронов с уровней этих дефектов. |
| Published: |
2005
|
| Series: | Технические науки |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2005/v308/i2/13.pdf |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=170291 |
| Physical Description: | 1 файл (338 Кб) |
|---|---|
| Summary: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Получено аналитическое выражение для описания спектров DLTS дефектов в полупроводниках, содержащих встроенные электрические поля областей разупорядочения. Из сопоставления расчетных и экспериментальных спектров для GaAs n-типа, облученного быстрыми нейтронами, сделана попытка связать происхождение U-полосы с известными радиационными дефектами P2 и P3. Учитывалось, что форма и местоположение пиков дефектов в спектрах DLTS изменены вследствие влияния внутренних электрических полей на скорость эмиссии электронов с уровней этих дефектов. |