Численное моделирование температурных полей силовых транзисторов с учетом разрывов коэффициентов переноса; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 308, № 1

Библиографические подробности
Источник:Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000-
Т. 308, № 1.— 2005.— [С. 150-154]
Главный автор: Кузнецов Г. В. Гений Владимирович
Другие авторы: Белозерцев А. В.
Примечания:Заглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
Численно решена двумерная задача о нестационарном температурном поле в корпусе силового биполярного транзистора с восемью источниками тепловыделения общей мощностью 60 Вт. Исследовано влияние сеточных параметров на точность вычисления температур. Установлено, что при определенных сеточных параметрах возможно достижение очень высокой точности вычислений.
Язык:русский
Опубликовано: 2005
Серии:Технические науки
Предметы:
Online-ссылка:http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2005/v308/i1/32.pdf
Формат: Электронный ресурс Статья
Запись в KOHA:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=170199
Описание
Объем:1 файл (954 Кб)
Примечания:Заглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
Численно решена двумерная задача о нестационарном температурном поле в корпусе силового биполярного транзистора с восемью источниками тепловыделения общей мощностью 60 Вт. Исследовано влияние сеточных параметров на точность вычисления температур. Установлено, что при определенных сеточных параметрах возможно достижение очень высокой точности вычислений.