Фотолиз систем "азид свинца - теллурид кадмия"; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 307, № 4
| Parent link: | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 307, № 4.— 2004.— [С. 85-88] |
|---|---|
| Autor principal: | |
| Altres autors: | , |
| Sumari: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации При исследовании кинетических и спектральных закономерностей фотолиза систем PbN6(Ам)−CdTe в зависимости от интенсивности падающего света установлено, что наряду с уменьшением скорости фотолиза и фототока в области собственного поглощения PbN6(Ам) добавка CdTe расширяет область спектральной чувствительности, а предварительная обработка систем светом (λ=365 нм) увеличивает скорость фотолиза. В результате анализа результатов измерений вольтамперных характеристик, контактной разности потенциалов, контактной фотоЭДС построены диаграммы энергетических зон и предложена модель фотолиза систем PbN6(Ам)−CdTe, включающая стадии генерации, рекомбинации, перераспределения неравновесных носителей в контактном поле, образования продуктов фотолиза, а также формирования микрогетерогенных систем PbN6(Ам)−Pb (продукт фотолиза)−CdTe. |
| Idioma: | rus |
| Publicat: |
2004
|
| Col·lecció: | Технические науки |
| Matèries: | |
| Accés en línia: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2004/v307/i4/17.pdf |
| Format: | MixedMaterials Electrònic Capítol de llibre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=169747 |