|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
164715 |
| 005 |
20231031161435.0 |
| 010 |
|
|
|a 5648011172
|
| 020 |
|
|
|a RU
|b 92-12437
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\178709
|
| 090 |
|
|
|a 164715
|
| 100 |
|
|
|a 20090910d1992 k y0rusy5003 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a UZ
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Многофункциональные арсенидгаллиевые тонкопереходные структуры
|f А. В. Каримов
|g Академия наук Узбекской ССР (АН УзССР), Физико-технический институт
|
| 210 |
|
|
|a Ташкент
|c Фан
|d 1992
|
| 215 |
|
|
|a 176 с.
|c ил.
|d 21 см
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 157-166 (128 назв.).
|
| 320 |
|
|
|a Предм. указ.: с. 167-170
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые приборы
|
| 610 |
1 |
|
|a арсенидгаллиевые структуры
|
| 610 |
1 |
|
|a физико-технологические характеристики
|
| 610 |
1 |
|
|a электронно-дырочные переходы
|
| 610 |
1 |
|
|a p-n переходы
|
| 610 |
1 |
|
|a инжектирование
|
| 610 |
1 |
|
|a полевые транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a металло-полупроводниковые переходы
|
| 610 |
1 |
|
|a многофункциональные структуры
|
| 610 |
1 |
|
|a гибридные модули
|
| 610 |
1 |
|
|a оптико-электронные схемы
|
| 610 |
1 |
|
|a запоминающие устройства
|
| 610 |
1 |
|
|a пороговые переключатели
|
| 610 |
1 |
|
|a монографии
|
| 675 |
|
|
|a 621.383.52
|z rus
|v 3
|
| 700 |
|
1 |
|a Каримов
|b А. В.
|g Абдулазиз Вахитович
|4 070
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Академия наук Узбекской ССР (АН УзССР)
|b Физико-технический институт
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\13582
|
| 801 |
|
0 |
|a RU
|b RuMRKP
|c 19950417
|g psbo
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20090910
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20100608
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
