Ч. 2: Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования

Bibliografiske detaljer
Parent link:Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем: учебное пособие для вузов/ под ред. Ю. А. Чаплыгина. Ч. 2: Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования.— , 2009.— 978-5-94774-337-1
Andre forfattere: Королев М. А. Михаил Александрович, Крупкина Т. Ю. Татьяна Юрьевна, Путря М. Г. Михаил Георгиевич, Шевяков В. И. Василий Иванович
Summary:Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может быть использовано также специалистами, работающими в данной области.
Sprog:russisk
Udgivet: 2009
Fag:
Format: Bog
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=163395

MARC

LEADER 00000nam2a2200000 4500
001 163395
005 20231101222406.0
010 |a 9785947745856 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\177283 
090 |a 163395 
100 |a 20090817d2009 m y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a j 001zy 
200 0 |a Ч. 2: Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования  |f М. А. Королев [и др.] 
210 |d 2009 
215 |a 423 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 416-422. 
330 |a Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может быть использовано также специалистами, работающими в данной области. 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\book\183702  |y 978-5-94774-337-1  |t Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем  |o учебное пособие для вузов  |o в 2 ч.  |f под ред. Ю. А. Чаплыгина  |v Ч. 2: Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования  |d 2009  |s Электроника 
606 1 |a Интегральные схемы  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\12775  |9 39495 
610 1 |a микроэлектроника 
610 1 |a схемы 
610 1 |a кремний 
610 1 |a конструкции 
610 1 |a изготовление 
610 1 |a масштабирование 
610 1 |a технология 
610 1 |a маршруты 
610 1 |a кремниевые интегральные схемы 
610 1 |a металлизация 
610 1 |a плазменное травление 
610 1 |a субмикронные технологии 
610 1 |a трехмерные микроструктуры 
610 1 |a приборно-технологическое моделирование 
610 1 |a учебные пособия 
675 |a 621.382.049.77(075.8)  |v 3 
701 1 |a Королев  |b М. А.  |g Михаил Александрович 
701 1 |a Крупкина  |b Т. Ю.  |g Татьяна Юрьевна 
701 1 |a Путря  |b М. Г.  |g Михаил Георгиевич 
701 1 |a Шевяков  |b В. И.  |g Василий Иванович 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20090817 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20150619  |g RCR 
900 |a Электроника и микроэлектроника 
900 |a Полупроводниковые, микропроцессорные и преобразовательные устройства 
942 |c BK 
951 |b 210100 
959 |a 81/20090817  |d 5  |e 253,00  |f АНЛ:1  |f ЧЗТЛ:1  |f УФ:3