Стационарные и релаксационные электрические методы исследования точечных дефектов в полупроводниках; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии

書目詳細資料
Parent link:	Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии.— 2000.— [С. 137-161]
主要作者:	Зыков В. М.
總結:	Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Рассмотрены физические основы электрических методов исследования точечных дефектов компенсирующего типа в кристаллических полупроводниках. Обсуждаются особенности методов, базирующихся на измерении проводимости (фотопроводимости) в стационарных, нестационарных и квазиравновесных условиях, а также на измерении емкости диодных структур. Большое внимание уделено обоснованию методик определения параметров дефектов на основе их термодинамического описания, уравнений кинетики и критериев, которым подчиняется движение системы дефектов. Показано, что учёт критерия минимума скорости релаксации существенно увеличивает информативность и точность при идентификации параметров дефектов методом изотермической релаксации индуцированной проводимости.
語言:	俄语
出版:	2000
主題:	полупроводники точечные дефекты методы исследования электрические методы релаксационные методы стационарные методы труды учёных ТПУ электронный ресурс
在線閱讀:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2000/v303/i2/10.pdf
格式:	電子 Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=162824

MARC


LEADER	00000nla2a2200000 4500
001	162824
005	20231031160549.0
035			\|a (RuTPU)RU\TPU\book\176611
035			\|a RU\TPU\book\176610
090			\|a 162824
100			\|a 20090628d2000 k y0rusy50 ca
101	0		\|a rus
102			\|a RU
135			\|a drnn ---uucaa
181		0	\|a i
182		0	\|a b
200	1		\|a Стационарные и релаксационные электрические методы исследования точечных дефектов в полупроводниках \|b Электронный ресурс \|f В. М. Зыков
203			\|a Текст \|c электронный
215			\|a 1 файл (3.5 Мб)
230			\|a Электронные текстовые данные (1 файл : 3.5 Мб)
300			\|a Заглавие с титульного листа
300			\|a Электронная версия печатной публикации
320			\|a [Библиогр.: 160-161 (30 назв.)]
330			\|a Рассмотрены физические основы электрических методов исследования точечных дефектов компенсирующего типа в кристаллических полупроводниках. Обсуждаются особенности методов, базирующихся на измерении проводимости (фотопроводимости) в стационарных, нестационарных и квазиравновесных условиях, а также на измерении емкости диодных структур. Большое внимание уделено обоснованию методик определения параметров дефектов на основе их термодинамического описания, уравнений кинетики и критериев, которым подчиняется движение системы дефектов. Показано, что учёт критерия минимума скорости релаксации существенно увеличивает информативность и точность при идентификации параметров дефектов методом изотермической релаксации индуцированной проводимости.
337			\|a Adobe Reader
461		1	\|0 (RuTPU)RU\TPU\book\176237 \|t Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ] \|f Томский политехнический университет (ТПУ) \|d 2000-
463		1	\|0 (RuTPU)RU\TPU\book\176374 \|t Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии \|o тематический выпуск \|f под ред. В. М. Лисицына \|v [С. 137-161] \|d 2000 \|p 225 с.
610	1		\|a полупроводники
610	1		\|a точечные дефекты
610	1		\|a методы исследования
610	1		\|a электрические методы
610	1		\|a релаксационные методы
610	1		\|a стационарные методы
610	1		\|a труды учёных ТПУ
610	1		\|a электронный ресурс
675			\|a 62.001.5 \|v 3
700		1	\|a Зыков \|b В. М.
801		1	\|a RU \|b 63413507 \|c 20090623 \|g PSBO
801		2	\|a RU \|b 63413507 \|c 20111209 \|g PSBO
856	4		\|u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2000/v303/i2/10.pdf
942			\|c CF

MARC

相似書籍