Стационарные и релаксационные электрические методы исследования точечных дефектов в полупроводниках; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии
| Parent link: | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии.— 2000.— [С. 137-161] |
|---|---|
| Автор: | |
| Резюме: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Рассмотрены физические основы электрических методов исследования точечных дефектов компенсирующего типа в кристаллических полупроводниках. Обсуждаются особенности методов, базирующихся на измерении проводимости (фотопроводимости) в стационарных, нестационарных и квазиравновесных условиях, а также на измерении емкости диодных структур. Большое внимание уделено обоснованию методик определения параметров дефектов на основе их термодинамического описания, уравнений кинетики и критериев, которым подчиняется движение системы дефектов. Показано, что учёт критерия минимума скорости релаксации существенно увеличивает информативность и точность при идентификации параметров дефектов методом изотермической релаксации индуцированной проводимости. |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
2000
|
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2000/v303/i2/10.pdf |
| Формат: | Електронний ресурс Частина з книги |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=162824 |
| Фізичний опис: | 1 файл (3.5 Мб) |
|---|---|
| Резюме: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Рассмотрены физические основы электрических методов исследования точечных дефектов компенсирующего типа в кристаллических полупроводниках. Обсуждаются особенности методов, базирующихся на измерении проводимости (фотопроводимости) в стационарных, нестационарных и квазиравновесных условиях, а также на измерении емкости диодных структур. Большое внимание уделено обоснованию методик определения параметров дефектов на основе их термодинамического описания, уравнений кинетики и критериев, которым подчиняется движение системы дефектов. Показано, что учёт критерия минимума скорости релаксации существенно увеличивает информативность и точность при идентификации параметров дефектов методом изотермической релаксации индуцированной проводимости. |