Расчет на ЭВМ энергий образования, взаимодействия и миграции дефектов в щелочно-галоидных кристаллах; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии

מידע ביבליוגרפי
Parent link:Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000-
Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии.— 2000.— [С. 117-136]
מחבר ראשי: Анненков Ю. М. Юрий Михайлович
מחברים אחרים: Оловяшникова А. М.
סיכום:Заглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
Разработана программа DEFECT для машинных расчетов энергетики дефектного ионного кристалла методами молекулярной статики. Программа состоит из трех подпрограмм: RESOT, предназначенную для построения координат идеального кристалла, SFERA, имеющую целью нахождение соседей иона на любом числе координационных сфер и SILA, позволяющую определять энергии взаимодействия между частицами и силы, действующие на данный ион. В центр модельного кристалла, состоящего из 1100 ионов, помещается рассматриваемый дефект. Ионы моделируются как точечные, неполяризующиеся заряды, величина которых соответствует истинным зарядам ионов кристалла. В модели при осуществлении операции минимизации энергии кристалла с дефектом проблемы дальнодействия кулоновского потенциала и учета электронно-деформационной поляризации решаются приближенно на макроскопическом уровне. С помощью программы DEFECT проведены расчеты энергетики образования и миграции шоттковских и френкелевских дефектов в ЩГК, энергий агрегатов вакансий различной сложности. Выполнен анализ эффективности взаимодействия между простейшими и сложными радиационными дефектами, определены энергетические стимулы различных радиационных процессов в ионных кристаллах, возбуждаемых ионизирующим излучением.
שפה:רוסית
יצא לאור: 2000
נושאים:
גישה מקוונת:http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2000/v303/i2/09.pdf
פורמט: xMaterials אלקטרוני Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=162823

MARC

LEADER 00000nla2a2200000 4500
001 162823
005 20231031160549.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\176610 
035 |a RU\TPU\book\176609 
090 |a 162823 
100 |a 20090628d2000 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drnn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Расчет на ЭВМ энергий образования, взаимодействия и миграции дефектов в щелочно-галоидных кристаллах  |b Электронный ресурс  |f Ю. М. Анненков, А. М. Оловяшникова 
203 |a Текст  |c электронный 
215 |a 1 файл (3.3 Мб) 
230 |a Электронные текстовые данные (1 файл : 3.3 Мб) 
300 |a Заглавие с титульного листа 
300 |a Электронная версия печатной публикации 
320 |a [Библиогр.: 135-136 (82 назв.)] 
330 |a Разработана программа DEFECT для машинных расчетов энергетики дефектного ионного кристалла методами молекулярной статики. Программа состоит из трех подпрограмм: RESOT, предназначенную для построения координат идеального кристалла, SFERA, имеющую целью нахождение соседей иона на любом числе координационных сфер и SILA, позволяющую определять энергии взаимодействия между частицами и силы, действующие на данный ион. В центр модельного кристалла, состоящего из 1100 ионов, помещается рассматриваемый дефект. Ионы моделируются как точечные, неполяризующиеся заряды, величина которых соответствует истинным зарядам ионов кристалла. В модели при осуществлении операции минимизации энергии кристалла с дефектом проблемы дальнодействия кулоновского потенциала и учета электронно-деформационной поляризации решаются приближенно на макроскопическом уровне. С помощью программы DEFECT проведены расчеты энергетики образования и миграции шоттковских и френкелевских дефектов в ЩГК, энергий агрегатов вакансий различной сложности. Выполнен анализ эффективности взаимодействия между простейшими и сложными радиационными дефектами, определены энергетические стимулы различных радиационных процессов в ионных кристаллах, возбуждаемых ионизирующим излучением. 
337 |a Adobe Reader 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\book\176237  |t Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]  |f Томский политехнический университет (ТПУ)  |d 2000- 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\book\176374  |t Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии  |o тематический выпуск  |f под ред. В. М. Лисицына  |v [С. 117-136]  |d 2000  |p 225 с. 
610 1 |a щелочно-галоидные кристаллы 
610 1 |a молекулярная статистика 
610 1 |a методы 
610 1 |a радиационные дефекты 
610 1 |a ионные кристаллы 
610 1 |a ионизирующее излучение 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a электронный ресурс 
675 |a 62.001.5  |v 3 
700 1 |a Анненков  |b Ю. М.  |c профессор каф. электроизоляционной и кабельной техники (ЭИКТ) ЭЛТИ, ТПУ  |c доктор физико-математических наук  |f 1940-  |g Юрий Михайлович  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25662 
701 1 |a Оловяшникова  |b А. М. 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20090623  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20111209  |g PSBO 
856 4 |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2000/v303/i2/09.pdf 
942 |c CF