Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии

Detalhes bibliográficos
Parent link:Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000-
Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии.— 2000.— [С. 104-116]
Autor principal: Войцеховский А. В.
Outros Autores: Коханенко А. П.
Resumo:Заглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
В работе описаны результаты исследований процессов образования радиационных дефектов в узкозонных твердых растворах теллурида кадмия ртути (КРТ) при воздействии высокоэнергетических электронов. Проведен анализ потерь энергии электронов и длин их пробега в материале, рассчитано число смещений атомов соединения на один падающий электрон. Теоретически показано, что основные параметры материала КРТ могут направленно изменяться при изменении дозы облучения. Экспериментально определены основные закономерности изменений концентрации, подвижности и времени жизни носителей заряда в кристаллах КРТ при электронном облучении при комнатной температуре.
Idioma:russo
Publicado em: 2000
Assuntos:
Acesso em linha:http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2000/v303/i2/08.pdf
Formato: Recurso Electrónico Capítulo de Livro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=162822

Registos relacionados