Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии

Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии

Bibliografiset tiedot
Parent link:	Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии.— 2000.— [С. 104-116]
Päätekijä:	Войцеховский А. В.
Muut tekijät:	Коханенко А. П.
Yhteenveto:	Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации В работе описаны результаты исследований процессов образования радиационных дефектов в узкозонных твердых растворах теллурида кадмия ртути (КРТ) при воздействии высокоэнергетических электронов. Проведен анализ потерь энергии электронов и длин их пробега в материале, рассчитано число смещений атомов соединения на один падающий электрон. Теоретически показано, что основные параметры материала КРТ могут направленно изменяться при изменении дозы облучения. Экспериментально определены основные закономерности изменений концентрации, подвижности и времени жизни носителей заряда в кристаллах КРТ при электронном облучении при комнатной температуре.
Kieli:	venäjä
Julkaistu:	2000
Aiheet:	высокоэнергетическое облучение дефектообразование теллурид кадмия теллурид ртути электронный ресурс
Linkit:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2000/v303/i2/08.pdf
Aineistotyyppi:	Elektroninen Kirjan osa
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=162822

Samankaltaisia teoksia

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
Tekijä: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Julkaistu: (Томск, [Б. и.], 2005)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
Tekijä: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Julkaistu: (Томск, [Б. и.], 2005)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Tekijä: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Julkaistu: (Томск, [Б. и.], 2005)

Анализ некоторых многокомпонентных систем потенциометрическим титрованием с применением ЭВМ: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
Tekijä: Шумар С. В. Светлана Викторовна
Julkaistu: (Томск, [Б. и.], 1995)

Влияние микроволнового излучения на приместно-дефектные состояния высокоомных монокристаллов CdTe; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Julkaistu: (2011)

Материалы, используемые в полупроводниковых приборах: пер. с англ.
Julkaistu: (Москва, Мир, 1968)

ИК-лазерное индуцированное изменение Eg в твёрдых растворах p-Cd1-xZnxTe; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Julkaistu: (2011)

Исследование полупроводников с широкой и узкой запрещенной зоной
Julkaistu: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1983)

Бесщелевые полупроводники-новый класс веществ
Tekijä: Цидильковский И. М. Исаак Михайлович
Julkaistu: (Москва, Наука, 1986)

Теллурид цинка
Tekijä: Радауцан С. И. Сергей Иванович
Julkaistu: (Кишинев, Штиинца, 1972)

Фотолиз систем "азид свинца - теллурид кадмия"; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 307, № 4
Tekijä: Суровой Э. П.
Julkaistu: (2004)

Теллурид германия и его физические свойства
Tekijä: Коржуев М. А. Михаил Александрович
Julkaistu: (Москва, Наука, 1986)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
Tekijä: Новиков В. А. Владимир Александрович
Julkaistu: (Томск, [Б. и.], 2007)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
Tekijä: Новиков В. А. Владимир Александрович
Julkaistu: (Томск, [Б. и.], 2007)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Tekijä: Новиков В. А. Владимир Александрович
Julkaistu: (Томск, [Б. и.], 2007)

Подпороговые радиационные эффекты в полупроводниках: [монография]
Julkaistu: (Ташкент, Фан, 1989)

Радиационные эффекты в полупроводниках
Tekijä: Гитлин В. Р.
Julkaistu: (Воронеж, ВГУ, 2019)

Химия элементов. Лабораторный практикум учебное пособие
Tekijä: Калько О. А.
Julkaistu: (Череповец, ЧГУ, 2021)

Медицина катастроф: в 2 ч. Ч. 2 учебно-методическое пособие для студентов учреждений высшего образования, обучающихся по специальностям 1-79 01 01 «Лечебное дело», 1-79 01 02 «Педиатрия», 1-79 01 05 «Медико-психологическое дело»
Tekijä: Новоселецкий В. А.
Julkaistu: (Гродно, ГрГМУ, 2023)

Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках A2B6
Tekijä: Логинов Ю. Ю. Юрий Юрьевич
Julkaistu: (Москва, Логос, 2003)

Полупроводниковые материалы и приборы
Julkaistu: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках
Tekijä: Вавилов В. С. Виктор Сергеевич
Julkaistu: (Москва, Наука, 1981)

Дефектно-примесные реакции в полупроводниках
Tekijä: Васильев А. В. Альберт Васильевич
Julkaistu: (Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2001)

Способ вычисления статистических характеристик полей высокоэнергетического электромагнитного излучения; Известия вузов. Физика; № 12
Tekijä: Воробьев В. А. Владимир Александрович
Julkaistu: (1967)

Эффекты кристаллизации при высокоэнергетическом нагружении аморфных тел; Высокоэнергетическая отработка быстрозакалённых материалов и высокотемпературных сверхпроводников
Julkaistu: (1989)

Разработка экологически чистого топлива для газогенераторов различного назначения; Энергетика: экология, надежность, безопасность
Tekijä: Горбенко М. В. Михаил Владимирович
Julkaistu: (2009)

Фотостимулированные атомные процессы в полупроводниках
Tekijä: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
Julkaistu: (Москва, Энергоатомиздат, 1984)

Радиационные повреждения металлов и сплавов
Tekijä: Ибрагимов Ш. Ш. Шавкат Шигабутдинович
Julkaistu: (Москва, Энергоатомиздат, 1985)

Физические процессы в облученных полупроводниках
Julkaistu: (Новосибирск, Наука, 1977)

Теория радиационных дефектов в полупроводниках
Tekijä: Тележкин В. А. Вениамин Александрович
Julkaistu: (Киев, Наукова думка, 1988)

Чтения памяти А. Ф. Иоффе: сборник научных трудов; Создание дефектов при распаде экситонов в ионных кристаллах; Дефектообразование при действии ионизированных механизмов; Фотостимулированные дефекты и фотоструктурированные превращения в стеклообразных полупроводниках; Рождение и преобразование дефектов при релаксации электронных возбуждений в твердых телах (основные теоретические представления)
Julkaistu: (Ленинград, Наука, 1986)

Влияние СВЧ-излучения на фазу оксида алюминия в нанопорошке алюминия; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
Julkaistu: (2017)

Теплоемкость и термодинамические функции теллурита кальция-кадмия в интервале 298,15...673 К; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 317, № 2: Математика и механика. Физика
Tekijä: Рустембеков К. Т.
Julkaistu: (2010)

Особенности дефектообразования в нелинейных оптических кристаллах при импульсном электронном облучении; Физика твердого тела
Tekijä: Дмитриев М. С.
Julkaistu: (2002)

Электрофизические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Tekijä: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Julkaistu: (Томск, [Б. и.], 2008)

Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах
Tekijä: Коршунов Ф. П. Федор Павлович
Julkaistu: (Минск, Наука и техника, 1978)

Способ определения коэффициента визуального ослабления материалов с переменной оптической плотностью; Измерительная техника; № 1
Tekijä: Шаталов Э. В.
Julkaistu: (2003)

Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Tekijä: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Julkaistu: (Томск, [Б. и.], 2008)

Метод оценки долговечности низковольтной межвитковой изоляции; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 318, № 4 : Энергетика
Tekijä: Марьин С. С. Сергей Сергеевич
Julkaistu: (2011)

Эффективность дефектообразования в стеклообразном [SiO2] при Уф-воздействии; Шестая Всесоюзная конференция по физики диэлектриков
Tekijä: Киселев В. Г.
Julkaistu: (1988)