Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии
| Parent link: | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии.— 2000.— [С. 104-116] |
|---|---|
| Hovedforfatter: | |
| Andre forfattere: | |
| Summary: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации В работе описаны результаты исследований процессов образования радиационных дефектов в узкозонных твердых растворах теллурида кадмия ртути (КРТ) при воздействии высокоэнергетических электронов. Проведен анализ потерь энергии электронов и длин их пробега в материале, рассчитано число смещений атомов соединения на один падающий электрон. Теоретически показано, что основные параметры материала КРТ могут направленно изменяться при изменении дозы облучения. Экспериментально определены основные закономерности изменений концентрации, подвижности и времени жизни носителей заряда в кристаллах КРТ при электронном облучении при комнатной температуре. |
| Sprog: | russisk |
| Udgivet: |
2000
|
| Fag: | |
| Online adgang: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2000/v303/i2/08.pdf |
| Format: | MixedMaterials Electronisk Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=162822 |
MARC
| LEADER | 00000nla2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 162822 | ||
| 005 | 20231031160549.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\book\176609 | ||
| 035 | |a RU\TPU\book\176607 | ||
| 090 | |a 162822 | ||
| 100 | |a 20090628d2000 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drnn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами |b Электронный ресурс |f А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 215 | |a 1 файл (2.1 Мб) | ||
| 230 | |a Электронные текстовые данные (1 файл : 2.1 Мб) | ||
| 300 | |a Заглавие с титульного листа | ||
| 300 | |a Электронная версия печатной публикации | ||
| 320 | |a [Библиогр.: 116 (39 назв.)] | ||
| 330 | |a В работе описаны результаты исследований процессов образования радиационных дефектов в узкозонных твердых растворах теллурида кадмия ртути (КРТ) при воздействии высокоэнергетических электронов. Проведен анализ потерь энергии электронов и длин их пробега в материале, рассчитано число смещений атомов соединения на один падающий электрон. Теоретически показано, что основные параметры материала КРТ могут направленно изменяться при изменении дозы облучения. Экспериментально определены основные закономерности изменений концентрации, подвижности и времени жизни носителей заряда в кристаллах КРТ при электронном облучении при комнатной температуре. | ||
| 337 | |a Adobe Reader | ||
| 461 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\book\176237 |t Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ] |f Томский политехнический университет (ТПУ) |d 2000- | |
| 463 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\book\176374 |t Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии |o тематический выпуск |f под ред. В. М. Лисицына |v [С. 104-116] |d 2000 |p 225 с. | |
| 610 | 1 | |a высокоэнергетическое облучение | |
| 610 | 1 | |a дефектообразование | |
| 610 | 1 | |a теллурид кадмия | |
| 610 | 1 | |a теллурид ртути | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 675 | |a 62.001.5 |v 3 | ||
| 700 | 1 | |a Войцеховский |b А. В. | |
| 701 | 1 | |a Коханенко |b А. П. | |
| 801 | 1 | |a RU |b 63413507 |c 20090623 |g PSBO | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20111209 |g PSBO | |
| 856 | 4 | |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2000/v303/i2/08.pdf | |
| 942 | |c CF | ||