Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами
| Parent link: | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии.— 2000.— [С. 104-116] |
|---|---|
| मुख्य लेखक: | |
| अन्य लेखक: | |
| सारांश: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации В работе описаны результаты исследований процессов образования радиационных дефектов в узкозонных твердых растворах теллурида кадмия ртути (КРТ) при воздействии высокоэнергетических электронов. Проведен анализ потерь энергии электронов и длин их пробега в материале, рассчитано число смещений атомов соединения на один падающий электрон. Теоретически показано, что основные параметры материала КРТ могут направленно изменяться при изменении дозы облучения. Экспериментально определены основные закономерности изменений концентрации, подвижности и времени жизни носителей заряда в кристаллах КРТ при электронном облучении при комнатной температуре. |
| प्रकाशित: |
2000
|
| विषय: | |
| ऑनलाइन पहुंच: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2000/v303/i2/08.pdf |
| स्वरूप: | इलेक्ट्रोनिक पुस्तक अध्याय |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=162822 |
| भौतिक वर्णन: | 1 файл (2.1 Мб) |
|---|---|
| सारांश: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации В работе описаны результаты исследований процессов образования радиационных дефектов в узкозонных твердых растворах теллурида кадмия ртути (КРТ) при воздействии высокоэнергетических электронов. Проведен анализ потерь энергии электронов и длин их пробега в материале, рассчитано число смещений атомов соединения на один падающий электрон. Теоретически показано, что основные параметры материала КРТ могут направленно изменяться при изменении дозы облучения. Экспериментально определены основные закономерности изменений концентрации, подвижности и времени жизни носителей заряда в кристаллах КРТ при электронном облучении при комнатной температуре. |