Войцеховский А. В. & Коханенко А. П. (2000). Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами. 2000.
Cita Chicago (17th ed.)Войцеховский А. В. i Коханенко А. П. Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами. 2000, 2000.
Cita MLA (9th ed.)Войцеховский А. В. i Коханенко А. П. Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами. 2000, 2000.
Atenció: Aquestes cites poden no estar 100% correctes.