Войцеховский А. В. & Коханенко А. П. (2000). Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2: Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии. 2000.
Chicago Style (17th ed.) CitationВойцеховский А. В. and Коханенко А. П. Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2: Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии. 2000, 2000.
MLA citiranjeВойцеховский А. В. and Коханенко А. П. Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2: Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии. 2000, 2000.