Войцеховский А. В. & Коханенко А. П. (2000). Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2: Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии. 2000.
Chicago-referens (17:e uppl.)Войцеховский А. В. och Коханенко А. П. Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2: Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии. 2000, 2000.
MLA-referens (9:e uppl.)Войцеховский А. В. och Коханенко А. П. Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2: Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии. 2000, 2000.