Образование и эволюция первичной дефектности в ионных кристаллах; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии

Podrobná bibliografie
Parent link:Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000-
Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии.— 2000.— [С. 7-25]
Hlavní autor: Лисицын В. М. Виктор Михайлович
Shrnutí:Заглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
Изложены представления о совокупности процессов образования и эволюции первичных дефектов, созданных при распаде электронных возбуждений в ионных кристаллах. Представлены основные результаты известных экспериментальных исследований структуры первичных дефектов, эффективности их образования, кинетики разрушения после создания. Описаны физические и математические модели образования и релаксации первичной дефектности. Приведен анализ результатов численного моделирования первичных процессов с целью выявления доминирующих факторов, определяющих релаксационные процессы.
Jazyk:ruština
Vydáno: 2000
Témata:
On-line přístup:http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2000/v303/i2/01.pdf
Médium: Elektronický zdroj Kapitola
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=162815

Podobné jednotky