Образование и эволюция первичной дефектности в ионных кристаллах; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии

Бібліографічні деталі
Parent link:Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000-
Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии.— 2000.— [С. 7-25]
Автор: Лисицын В. М. Виктор Михайлович
Резюме:Заглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
Изложены представления о совокупности процессов образования и эволюции первичных дефектов, созданных при распаде электронных возбуждений в ионных кристаллах. Представлены основные результаты известных экспериментальных исследований структуры первичных дефектов, эффективности их образования, кинетики разрушения после создания. Описаны физические и математические модели образования и релаксации первичной дефектности. Приведен анализ результатов численного моделирования первичных процессов с целью выявления доминирующих факторов, определяющих релаксационные процессы.
Мова:Російська
Опубліковано: 2000
Предмети:
Онлайн доступ:http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2000/v303/i2/01.pdf
Формат: MixedMaterials Електронний ресурс Частина з книги
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=162815

MARC

LEADER 00000nla2a2200000 4500
001 162815
005 20231227111946.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\176602 
035 |a RU\TPU\book\176259 
090 |a 162815 
100 |a 20090628d2000 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drnn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Образование и эволюция первичной дефектности в ионных кристаллах  |f В. М. Лисицын 
203 |a Текст  |c электронный 
215 |a 1 файл (3.1 Мб) 
300 |a Заглавие с титульного листа 
300 |a Электронная версия печатной публикации 
320 |a [Библиогр.: 24-25 (42 назв.)] 
330 |a Изложены представления о совокупности процессов образования и эволюции первичных дефектов, созданных при распаде электронных возбуждений в ионных кристаллах. Представлены основные результаты известных экспериментальных исследований структуры первичных дефектов, эффективности их образования, кинетики разрушения после создания. Описаны физические и математические модели образования и релаксации первичной дефектности. Приведен анализ результатов численного моделирования первичных процессов с целью выявления доминирующих факторов, определяющих релаксационные процессы. 
337 |a Adobe Reader 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\book\176237  |t Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]  |f Томский политехнический университет (ТПУ)  |d 2000- 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\book\176374  |t Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии  |o тематический выпуск  |f под ред. В. М. Лисицына  |v [С. 7-25]  |d 2000  |p 225 с. 
610 1 |a ионные кристаллы 
610 1 |a первичная дефектность 
610 1 |a образование 
610 1 |a эволюция 
610 1 |a релаксационные процессы 
610 1 |a доминирующие факторы 
610 1 |a физические модели 
610 1 |a математические модели 
610 1 |a численное моделирование 
610 1 |a анализ 
610 1 |a результаты 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a электронный ресурс 
675 |a 62.001.5  |v 3 
700 1 |a Лисицын  |b В. М.  |c физик  |c профессор Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук  |f 1939-  |g Виктор Михайлович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\10510  |9 2237 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20090623  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20110617  |g PSBO 
856 4 |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2000/v303/i2/01.pdf 
942 |c CF