Упорядочение структуры кристаллов ионизирующим излучением (эффект малых доз ионизирующего излучения)

Bibliographic Details
Parent link:	Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 303, вып. 1.— 2000.— [С. 74-80]
Main Author:	Чернов И. П. Иван Петрович
Other Authors:	Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
Summary:	Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Изучено влияние ионизирующего излучения на полупроводниковые кристаллы, металлы и сплавы. Используя методы резерфордовского обратного рассеяния каналированных заряженных частиц, электронной микроскопии, рентгеноструктурного анализа, калориметрии, установлено, что облучение гамма-квантами или электронами экспозиционной дозой менее 105 Дж/кг полупроводников, металлов и сплавов приводит не к накоплению дефектов, а наоборот, к их устранению и переводу материала в более равновесное состояние по сравнению с исходным состоянием. Показано, что ионизационные процессы играют определяющую роль в процессе перестройки дефектов кристаллической решетки материалов, обладающих как полупроводниковой, так и металлической проводимостью. Установлено, что перестройка структуры кристалла происходит за счет освобождения запасенной в кристалле энергии в результате цепных реакций аннигиляции дефектов, инициированных ионизацией. Переход кристалла в равновесное состояние сопровождается улучшением его физических свойств.
Language:	Russian
Published:	2000
Subjects:	ионизирующее излучение малые дозы влияние полупроводниковые кристаллы металлы сплавы труды учёных ТПУ электронный ресурс
Online Access:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2000/v303/i1/07.pdf
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=162521