Упорядочение структуры кристаллов ионизирующим излучением (эффект малых доз ионизирующего излучения)
| Parent link: | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 303, вып. 1.— 2000.— [С. 74-80] |
|---|---|
| Prif Awdur: | |
| Awduron Eraill: | |
| Crynodeb: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Изучено влияние ионизирующего излучения на полупроводниковые кристаллы, металлы и сплавы. Используя методы резерфордовского обратного рассеяния каналированных заряженных частиц, электронной микроскопии, рентгеноструктурного анализа, калориметрии, установлено, что облучение гамма-квантами или электронами экспозиционной дозой менее 105 Дж/кг полупроводников, металлов и сплавов приводит не к накоплению дефектов, а наоборот, к их устранению и переводу материала в более равновесное состояние по сравнению с исходным состоянием. Показано, что ионизационные процессы играют определяющую роль в процессе перестройки дефектов кристаллической решетки материалов, обладающих как полупроводниковой, так и металлической проводимостью. Установлено, что перестройка структуры кристалла происходит за счет освобождения запасенной в кристалле энергии в результате цепных реакций аннигиляции дефектов, инициированных ионизацией. Переход кристалла в равновесное состояние сопровождается улучшением его физических свойств. |
| Iaith: | Rwseg |
| Cyhoeddwyd: |
2000
|
| Pynciau: | |
| Mynediad Ar-lein: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2000/v303/i1/07.pdf |
| Fformat: | Electronig Pennod Llyfr |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=162521 |
MARC
| LEADER | 00000nla2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 162521 | ||
| 005 | 20250917071650.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\book\176266 | ||
| 035 | |a RU\TPU\book\176265 | ||
| 090 | |a 162521 | ||
| 100 | |a 20090623d2000 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drnn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Упорядочение структуры кристаллов ионизирующим излучением (эффект малых доз ионизирующего излучения) |f И. П. Чернов, А. П. Мамонтов | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 215 | |a 1 файл (945 Кб) | ||
| 300 | |a Заглавие с титульного листа | ||
| 300 | |a Электронная версия печатной публикации | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 80 (15 назв.)] | ||
| 330 | |a Изучено влияние ионизирующего излучения на полупроводниковые кристаллы, металлы и сплавы. Используя методы резерфордовского обратного рассеяния каналированных заряженных частиц, электронной микроскопии, рентгеноструктурного анализа, калориметрии, установлено, что облучение гамма-квантами или электронами экспозиционной дозой менее 105 Дж/кг полупроводников, металлов и сплавов приводит не к накоплению дефектов, а наоборот, к их устранению и переводу материала в более равновесное состояние по сравнению с исходным состоянием. Показано, что ионизационные процессы играют определяющую роль в процессе перестройки дефектов кристаллической решетки материалов, обладающих как полупроводниковой, так и металлической проводимостью. Установлено, что перестройка структуры кристалла происходит за счет освобождения запасенной в кристалле энергии в результате цепных реакций аннигиляции дефектов, инициированных ионизацией. Переход кристалла в равновесное состояние сопровождается улучшением его физических свойств. | ||
| 337 | |a Adobe Reader | ||
| 461 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\book\176237 |t Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ] |f Томский политехнический университет (ТПУ) |d 2000- | |
| 463 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\book\176238 |t Т. 303, вып. 1 |o тематический выпуск |f под ред. Ю. П. Похолкова, В. Я. Ушакова |v [С. 74-80] |d 2000 |p 324 с. | |
| 610 | 1 | |a ионизирующее излучение | |
| 610 | 1 | |a малые дозы | |
| 610 | 1 | |a влияние | |
| 610 | 1 | |a полупроводниковые кристаллы | |
| 610 | 1 | |a металлы | |
| 610 | 1 | |a сплавы | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 700 | 1 | |a Чернов |b И. П. |c физик |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1935-2025 |g Иван Петрович |x TPU |y Томск |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\12909 |9 3694 | |
| 701 | 1 | |a Мамонтов |b А. П. |c российский физик |c профессор Томского политехнического университета |c Заслуженный изобретатель РФ |f 1934- |g Аркадий Павлович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\21984 | |
| 801 | 1 | |a RU |b 63413507 |c 20090623 |g PSBO | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20210318 |g PSBO | |
| 856 | 4 | |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2000/v303/i1/07.pdf | |
| 942 | |c CF | ||